机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
AlN; GaN; MBE; Hetero-epitaxy; PL; Strain relaxation; Silicon (110);
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:AlN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:超薄AIN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的应变工程中的作用
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:双缓冲层对射频等离子体辅助分子束外延生长Ga极性GaN薄膜性能的影响