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毕叔和;
无;
氮化铝; 氮化镓; 碳化硅; 缓冲层; 生长; 张力应变;
机译:通过(AlN / GaN)多缓冲层结构的受控应变减少AlGaN / AlN / SiC外延层中的螺纹位错
机译:AlN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:使用厚AlN缓冲层在3c-SiC / Si(111)衬底上GaN的分子束外延生长
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:使用ALN和3C-SiC的缓冲层在邻接底物Si(001)上生长的半硅层GaN中的位错反应
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:制备固溶体(SiC) 4-x Sub>(AlN) x Sub>(AlN)(SiC) 1-x i>的外延层的方法子>(AlN)<子> x Sub>
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译:用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置
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