机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
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机译:嵌入式ALN / GaN多层,用于增强晶体质量和半极性(11-22)GaN的水晶质量和表面形态,在M平面蓝宝石上
机译:使用两个原位SiN_x中间层序列在m面蓝宝石上生长的具有显着降低的缺陷密度的半极性(11-22)GaN外延膜
机译:AlN缓冲层对MEPA-MOCVD生长的InN / AlN /蓝宝石异质结构的结构和光电性能的影响
机译:InAsBi体层和量子阱中分子束外延生长的结构和光学性质
机译:在c面蓝宝石上生长具有高温AlN缓冲液的氮极(000 ... ... ...)GaN
机译:使用双Aln缓冲层在M平面蓝宝石上生长半极性(11-22)甘的各向异性结构和光学性质