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氮化铝

氮化铝的相关文献在1985年到2023年内共计3208篇,主要集中在化学工业、无线电电子学、电信技术、一般工业技术 等领域,其中期刊论文739篇、会议论文99篇、专利文献49905篇;相关期刊285种,包括材料导报、材料科学与工程学报、功能材料等; 相关会议78种,包括第十五届全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接会议暨2015年真空电子与专用金属材料分会和电子陶瓷年会、2012年中国工程热物理学会传热传质学学术年会、全国绝缘材料与绝缘技术专题研讨会等;氮化铝的相关文献由5012位作者贡献,包括郝敏、不公告发明人、秦明礼等。

氮化铝—发文量

期刊论文>

论文:739 占比:1.46%

会议论文>

论文:99 占比:0.20%

专利文献>

论文:49905 占比:98.35%

总计:50743篇

氮化铝—发文趋势图

氮化铝

-研究学者

  • 郝敏
  • 不公告发明人
  • 秦明礼
  • 曲选辉
  • 吴亮
  • 施纯锡
  • 杨大胜
  • 王琦琨
  • 周和平
  • 鲁慧峰
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

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作者

    • 李哲; 张刚; 付丹扬; 王琦琨; 雷丹; 任忠鸣; 吴亮
    • 摘要: 本文基于自主设计的氮化铝生长炉,开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征研究。研究发现:不同工艺条件下生长的晶体的拉曼图谱E 2(high)特征峰峰位表明,晶体内部均存在较小的拉应力;在坩埚顶部在相对较高温度2210°C、坩埚底部与顶部温差42°C的低过饱和度生长条件下,晶体表面光滑,呈现阶梯流生长形貌,并具有典型的氮化铝单晶生长习性面,晶体初始扩张角大于40°,高分辨率X射线衍射(HRXRD)测得0002、1012反射摇摆曲线及拉曼光谱检测结果表明,该条件下生长的氮化铝晶体结晶质量优异,并可实现快速扩径。基于该生长条件,通过外延生长后成功获得尺寸∅45~47 mm的氮化铝单晶锭,相关表征结果表明生长的氮化铝晶体具有优越的结晶性能。
    • 石兴达; 陈华艳; 戈亚南; 武春瑞; 贾红友; 吕晓龙
    • 摘要: 通过对多壁碳纳米管(MWCNT)和氮化铝(AlN)颗粒进行不同的改性,提高其分散性以及与聚偏氟乙烯(PVDF)基体的界面相容性,降低界面热阻。通过溶液共混后再用热压法将填料与基体的混合物压制成致密的薄膜,提高PVDF的导热性能。TEM测试证明改性后的填料分散性能提高,SEM证明两种填料成功地在PVDF基体中构成三维杂化网络结构。当填料含量50%时,a-AlN-PVDF复合薄膜的热导率达到原膜的300%、断裂强度变为原膜的92%。当MWCNT与AlN的体积比为1∶1、改性混合填料的质量分数为50%时,热导率变为原膜的565%,断裂强度变为原来的51%。
    • 宋志键; 刘世凯; 黄威; 徐天兵; 陈颖鑫; 孙亚光
    • 摘要: 纳米氮化铝(AlN)具有优良的热导率、电学性能和力学性能,被广泛应用于新一代半导体器件。氮化铝器件的性能表现取决于氮化铝粉体的质量,因此,优质氮化铝粉体的制备是氮化铝行业发展的关键。本文综述了氮化铝的纳米粉体制备及相关应用的研究进展,并讨论了氮化铝的发展方向。
    • 伍良晴
    • 摘要: 以不同形貌的铝粉为原料,通过冰模板法预先构建了含铝原料骨架,经原位氮化反应烧结将含铝原料骨架一步转变为氮化铝骨架,随后通过真空浸渗法制备了导热环氧树脂/氮化铝(EP/AlN)复合材料。主要研究了片状铝粉和球状铝粉的比例对AlN骨架的物相成分和显微结构及EP/AlN复合材料热学性能的影响。结果表明,改变片/球比对AlN骨架物相成分的影响小,在AlN总体积分数为40%、片/球体积比为1∶9时,从复合材料断裂截面的EDS图观察到AlN在EP中呈连续定向层状排列,最终复合材料获得3.035 W/(m·K)的最大热导率,比纯EP提高了1517.5%。通过在运行温度为90°C的加热台上散热效果表明,该复合材料基板相比于纯EP基板显示出更优异的散热性能。同时在90,120,150°C的不同环境温度下的测试表明,随温度升高复合材料基板的散热效果增强。
    • 何金秀; 胡继林; 陈博; 邓如意; 王佳程
    • 摘要: 氮化铝(AlN)由于具有一系列优良特性,在众多领域得到广泛应用。但是,AlN原料的易水解性使其应用范围受到了一定的限制。因此,在深入研究AlN粉体原料水解行为的基础上,再进行表面改性,以提高AlN粉体原料的抗水解能力,是一个非常重要的研究课题。综述了AlN粉体的水解行为及其抗水解改性的研究进展情况,并对现有抗水解改性方法存在的问题进行了分析,最后对发展趋势进行了展望。
    • 刘亚欣; 周建民; 夏长荣
    • 摘要: 近年来,微电子和半导体技术的飞速发展对器件材料的散热要求越来越高。因具有热导率高等优异性能,AlN引起了广泛关注。以三聚氰胺、甲醛、勃姆石溶胶为起始原料,利用同步的溶胶凝胶转换与高分子聚合过程,使有机高分子的交联网络与无机勃姆石的凝胶网络相互作用缠结,得到碳源(三聚氰胺和甲醛单体)和铝源(勃姆石溶胶粒子)均匀混合的前驱体。该复合体系不仅抑制了铝源的粒子长大,同时也阻碍了氧化铝的相转变,使得氮化反应直接由γ-Al_(2)O_(3)开始,并在1300°C完全氮化为AlN,粒径小于30 nm。此外,该体系的碳热还原氮化反应的活化能仅为126 kJ·mol^(-1),远小于传统固相法的360 kJ·mol^(-1),说明该凝胶聚合法有效地提高了反应活性。
    • 国运之
    • 摘要: 近年来,微电子和半导体技术的飞速发展,对器件材料散热功能的要求越来越高。氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。高质量粉末原料是获得高性能AlN陶瓷的先决条件,要制备高导热的AlN陶瓷,首先需要制备出高纯度、细粒度、分散性和烧结性好的AlN粉末,而这些因素均取决于初始原料的纯度、合成方法和反应条件。本文阐述了国内外氮化铝粉体的合成方法和发展现状,探讨了氮化铝粉体水解方面的解决办法。
    • 刘旺冠; 蒋兴华; 郭建华
    • 摘要: 随着科学技术的发展,电子元器件发热量大幅度增加,因此开发兼具高导热和高绝缘性能材料日益迫切。以甲基乙烯基硅橡胶(SR)为基体,碳纳米管(CNTs)、六方氮化硼(BN)以及氮化铝(AlN)为导热填料,通过机械共混法制备导热复合材料。研究3种导热填料复配对复合材料的导热性能、绝缘性能和力学性能的影响,研究填料取向对复合材料导热性能的影响,研究材料表面温升与加热时间的关系。采用Agari模型预测复合材料的理论热导率。通过热红成像、扫描电子显微镜、X射线衍射分析、热重分析等对复合材料进行表征。结果表明:随着复配导热填料中AlN用量的减少,BN和CNT_(S)用量的增加,复合材料的热导率逐渐升高;当AlN为80 phr,BN为68 phr,CNTs为2 phr时,复合材料的垂直热导率为1.857 W·m^(-1)·K^(-1),平行热导率为2.853 W·m^(-1)·K^(-1),体积电阻率为2.18×10^(12)Ω·cm,拉伸强度达4.3 MPa,复合材料的综合性能较好。
    • 周波; 马骁; 陈华三; 杨磊
    • 摘要: 氮化铝陶瓷基板在化学镀镍生产过程中出现了局部区域起泡、腔体部位发黑的现象。通过故障复现试验,发现原因有二:(1)化学镀前基材钨金属化层在四周边存在亮斑色差,亮斑区域属于二次相聚集,与中间正常区域相比,钨层连续性较差,导致镀层与基材咬合力不足而起泡;(2)在烘干过程中,由于产品倒扣,腔体内部兜水,大量高温下形成的水蒸气在腔体处无法排出,氮化铝与热的水蒸气长时间接触而发生水解反应,导致腔体周围表面变黑。通过对镀前来料的筛选,并在烘干时切水和腔体朝上放置,该问题得到了解决。
    • 张刚; 付丹扬; 李哲; 黄嘉丽; 王琦琨; 任忠鸣; 吴亮
    • 摘要: 借助专业晶体生长模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法(PVT)同质外延生长氮化铝(AlN)单晶工艺时的初始传热及传质过程,并分析了不同形状籽晶台对生长室内的温度场、流场、过饱和度及生长速率的影响。温度场模拟结果表明籽晶台侧部角度改变可影响籽晶表面轴向及径向温度梯度,流场及传质模拟表明籽晶台侧部角度变化对籽晶台周边的传质有巨大影响。传质及过饱和度模拟结果表明,当籽晶台侧部角度为130°时,籽晶表面温度梯度较小且可以完全抑制籽晶台侧部多晶沉积,有利于通过同质外延工艺生长出无寄生、无裂纹的高质量氮化铝单晶锭。
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