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秦福文; 顾彪; 徐茵; 杨大智;
大连理工大学电气工程与应用电子技术系;
大连理工大学材料科学与工程系;
低温生长; AIN; GaN; 氢等离子体清洗; ECR-PEMOCVD;
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:低温AlN成核层的厚度对通过MOCVD法在双步AlN缓冲层上生长的GaN的材料性能的影响
机译:初始生长阶段Ⅴ/Ⅲ比对沉积在低温AlN缓冲层上的GaN外延层性能的影响
机译:使用高温生长单晶ALN缓冲层在蓝宝石基板上制造的GaN的蓝紫光激光二极管室温运行
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译:具有在高温下生长的AlN缓冲层的GaN半导体器件及其制造方法
机译:GaN单晶,GaN薄膜薄膜基体和GaN单晶生长装置的生产方法
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