semiconductor lasers; laser diodes; vapor phase epitaxy; growth from vapor phase;
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的室温CW操作
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的低电流操作
机译:通过使用组合的低温和高温生长的ALN缓冲层在8英寸Si衬底上生长的高性能GaN的发光二极管
机译:使用高温生长单晶ALN缓冲层在蓝宝石基板上制造的GaN的蓝紫光激光二极管室温运行
机译:在块状AlN衬底上生长的亚300 nm发光二极管和激光二极管的点缺陷识别和管理。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:在单片Gaas / si衬底上制备的Gaas / alGaas二极管激光器的室温操作