公开/公告号CN1252837C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司;
申请/专利号CN01808734.5
申请日2001-03-16
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人苏娟;赵辛
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 08:58:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-04-19
授权
授权
2003-11-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-08-27
公开
公开
机译: 基于GaN的发光二极管芯片以及具有基于GaN的发光二极管芯片的发光二极管组件的制造方法
机译: 基于GaN的发光二极管芯片以及具有基于GaN的发光二极管芯片的发光二极管组件的制造方法
机译: GaN单晶基板,制造GaN单晶基板的方法,在GaN单晶基板上制造的发光元件以及制造发光元件的方法