机译:使用BN的机械转移方法在柔性基板上制备垂直InGaN / GaN发光二极管
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
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机译:高效ingan / GaN量子阱基垂直发光二极管制造了β-Ga(2)O(3)底物
机译:在(1010)和(1011)平面之间取向的GaN衬底上制造的InGaN / GaN发光二极管的光偏振特性
机译:用于柔性光电应用的化学转移InGaN / GaN发光二极管的改进的光输出功率
机译:通过粗糙化p-GaN和未掺杂的GaN表面并在蓝宝石衬底表面上施加镜面来提高InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:在柔性基板上制造的非晶硅薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管显示器。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:超薄AlInGaN发光二极管的纳米精度转移印刷到机械柔性基板上