法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-19
授权
授权
2013-11-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20130717
实质审查的生效
2013-10-16
公开
公开
机译: 立方和六方InN薄膜及其与AlN的合金在低温下的等离子体辅助原子层外延
机译: 立方和六方InN及其与AlN合金的低温等离子体辅助原子层外延
机译: 制造化合物半导体外延晶片的步骤包括:在金属基板上沉积硅薄膜;在硅缓冲层上沉积化合物半导体薄膜;以及使化合物半导体薄膜结晶化