AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法①

摘要

InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片，很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片，在AlN/普通康宁玻璃基片结构上，改变不同沉积温度制备,InN薄膜，得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好，薄膜衬底成本廉价，可用于大面积制造大功率，高频率器件，降低其成本价格。