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机译:使用低生长速率的InN缓冲层通过RF溅射改善在Si(111)上沉积的InN层
Valdueza-Felip S.; Ibáñez Insa Jordi; Monroy E.; González-Herráez M.; Artús Lluís; Naranjo F.B.;
机译:使用低温InN缓冲层改善a面InN的表面形态
机译:通过RF溅射在GaN模板上沉积高表面质量的纳米InN层
机译:利用低温INN缓冲层改善A-Plane Inn的表面形态
机译:通过远程等离子体溅射沉积的湿气/氧气阻隔层的特性和性能。
机译:使用AlSb3Te和原子层沉积TiO2缓冲层的相变存储单元的性能改进
机译:通过使用INN层间在(111) - 硅的GaN外延层中的错位减少
机译:通过反应性高能溅射工艺沉积层,方法是在基板上通过溅射工艺喷涂部分层,然后在基板上沉积层,其中通过脉冲模式操作的磁控管执行溅射工艺
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:含锌缓冲层的太阳能电池及其在沉积层之间不产生破裂真空的无溅射溅射制造方法
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