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【2h】

Reduction of dislocation in GaN epitaxial layer grown on (111)-oriented Silicon by using InN inter-layer

机译：通过使用INN层间在（111） - 硅的GaN外延层中的错位减少

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4. Orders of magnitude reduction in dislocation density in GaN grown on Si (111) by nano lateral epitaxial overgrowth [C] . K. Y. Zang, S. J. Chua International Conference of Nitride Semiconductors . 2008

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