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International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP
召开年:
2003
召开地:
Nara(JP);Nara(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Characteristics of semi-insulating, Fe-doped GaN substrates
机译:
半绝缘,掺铁的GaN衬底的特性
作者:
Robert P. Vaudo
;
Xueping Xu
;
Allan Salant
;
Joseph Malcarne
;
George R. Brandes
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
2.
Characterisation of nitrides by energy filtered TEM and EELS
机译:
通过能量过滤的TEM和EELS表征氮化物
作者:
M. W. Fay
;
G. Moldovan
;
I. Harrison
;
E. Larkins
;
S. V. Novikov
;
C.T. Foxon
;
R. S. Balmer
;
D. E. J. Soley
;
K. P. Hilton
;
M. J. Uren
;
T. Martin
;
P. D. Brown
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
interface structure and roughness;
diffusion;
interface formation;
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
contact resistance, contact potential;
metal-nonmetal contacts;
metallization, contacts, interconnects;
device isolat;
3.
CVD growth of 3C-SiC on various orientations of Si substrates for the substrate of nitride semiconductors
机译:
在氮化物半导体衬底的Si衬底的各种取向上CVD生长3C-SiC
作者:
Taro Nishiguchi
;
Yusuke Mukai
;
Satoru Ohshima
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
surface and interface dynamics and vibrations;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
other inorganic semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
4.
Annealing studies of Si-implanted Al_(0.25)Ga_(0.75)N
机译:
硅注入Al_(0.25)Ga_(0.75)N的退火研究
作者:
Mee-Yi Ryu
;
E. A. Chitwood
;
E. N. Claunch
;
Y. K. Yeo
;
R. L. Hengehold
;
J. A. Fellows
;
T. Steiner
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
85.40.Ry;
5.
Analysis of InGaN/GaN single quantum wells by X-ray scattering and transmission electron microscopy
机译:
X射线散射和透射电子显微镜分析InGaN / GaN单量子阱
作者:
T. M. Smeeton
;
M. J. Kappers
;
J. S. Barnard
;
M. E. Vickers
;
C. J. Humphreys
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray reflectometry (surfaces, interfaces, films);
X-ray diffraction;
semiconductors;
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
quantum wells;
6.
Dependences of GaN polarity on the growth temperatures of migration-enhanced-epitaxy-grown AlN in MOVPE
机译:
GaN极性对MOVPE中迁移增强外延生长的AlN生长温度的依赖性
作者:
B. Cao
;
K. Xu
;
B. W. Seo
;
S. Arita
;
S. Nishida
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atom, molecule, and ion scattering;
semiconductor surfaces;
nucleation and growth: microscopic aspects;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
7.
Atomic structure and energy of junctions between inversion domain boundaries and stacking faults in wurtzite GaN
机译:
纤锌矿型GaN中反转畴边界与堆垛层错之间的结的原子结构和能量
作者:
J. Kioseoglou
;
A. Bere
;
G.P. Dimitrakopulos
;
A. Serra
;
G. Nouet
;
Ph. Komninou
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
computer modeling and simulation;
interatomic potentials and forces;
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
microscopy of surfaces, interfaces, and thin films;
III-V semi;
8.
Correlation between strain, optical and electrical properties of InN grown by MBE
机译:
MBE生长的InN的应变,光学和电学性质之间的相关性
作者:
V. Cimalla
;
Ch. Foerster
;
G. Kittler
;
I. Cimalla
;
R. Kosiba
;
G. Ecke
;
O. Ambacher
;
R. Goldhahn
;
S. Shokhovets
;
A. Georgakilas
;
H. Lu
;
W. Schaff
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
microscopy of surfaces, interfaces, and thin films;
III-V semiconductors;
semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
9.
Cracks and dislocation structures in AlGaN systems
机译:
AlGaN系统中的裂纹和位错结构
作者:
I. L. Maksimov
;
H. D. Li
;
T. Sugahara
;
M. Tsukihara
;
A. Mori
;
S. Sakai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
10.
Crack formation and development in AlGaN/GaN structures
机译:
AlGaN / GaN结构中的裂纹形成和发展
作者:
P. J. Parbrook
;
T. Wang
;
M. A. Whitehead
;
C. N. Harrison
;
R. J. Lynch
;
R. T. Murray
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
fatigue, brittleness, fracture, and cracks;
atomic force microscopy (AFM);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
11.
Current-voltage instabilities in GaN/AlGaN resonant tunnelling structures
机译:
GaN / AlGaN共振隧穿结构中的电流-电压不稳定性
作者:
C. T. Foxon
;
S. V. Novikov
;
A. E. Belyaev
;
L. X. Zhao
;
O. Makarovsky
;
D. J. Walker
;
L. Eaves
;
R. I. Dykeman
;
S. V. Danylyuk
;
S. A. Vitusevich
;
M. J. Kappers
;
J. S. Barnard
;
C. J. Humphreys
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
tunneling;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
junction breakdown and tunneling devices (including resonance tunneling devices);
12.
Design of the layer structures for Schottky type AlGaN UV photodetector
机译:
肖特基型AlGaN紫外光电探测器的层结构设计
作者:
Bo-Kyun Kim
;
Jung-Kyu Kim
;
Sung-Jong Park
;
Heon-Bok Lee
;
Jae-Hoon Lee
;
Gi-Hong Rue
;
Myoung-Bok Lee
;
Young-Hyun Lee
;
Jung-Hee Lee
;
Sung-Ho Hahm
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
metal-nonmetal contacts;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
photodetectors (including infrared and CCD detectors);
13.
Degradation in AlGaInN lasers
机译:
AlGaInN激光器的降解
作者:
Motonobu Takeya
;
Takashi Mizuno
;
Tomomi Sasaki
;
Shinro Ikeda
;
Tsuyoshi Fujimoto
;
Yoshio Ohfuji
;
Kenji Oikawa
;
Yoshifumi Yabuki
;
Shiro Uchida
;
Masao Ikeda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
14.
Defects in degraded GaN-based laser diodes
机译:
退化的GaN基激光二极管中的缺陷
作者:
Shigetaka Tomiya
;
Shu Goto
;
Motonobu Takeya
;
Masao Ikeda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc;
III-V semiconductors;
15.
First-principle calculation of the epitaxial growth of GaN(0001)
机译:
GaN(0001)外延生长的第一性原理计算
作者:
A. Ishii
;
T. Aisaka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor surfaces;
theory and models of crystal growth;
physics of crystal growth, crystal morphology and orientation;
16.
Formation of 'air-gap' structure at a GaN epilayer/substrate interface by using an InN interlayer
机译:
通过使用InN中间层在GaN外延层/衬底界面处形成“气隙”结构
作者:
A. Yamamoto
;
Y. Hamano
;
T. Tanikawa
;
Bablu K. Ghosh
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
17.
Polarized micro-photoluminescence spectroscopy of GaN nanocolumns
机译:
GaN纳米柱的偏振微光致发光光谱
作者:
T. V. Shubina
;
V. N. Jmerik
;
S. V. Ivanov
;
D. D. Solnyshkov
;
N. A. Cherkashin
;
K. F. Karlsson
;
P. O. Holtz
;
A. Waag
;
P. S. Kopev
;
B. Monemar
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
II-VI semiconductors;
18.
Metastability in the excitonic luminescence of electron-irradiated GaN
机译:
电子辐照GaN的激子发光中的亚稳定性
作者:
Q. Yang
;
H. Feick
;
R. Armitage
;
E. R. Weber
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electron and positron radiation effects;
excitons and related phenomena;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
19.
Metal organic vapor phase epitaxy and Raman spectroscopy of InN for nanostructure applications
机译:
纳米结构InN的金属有机气相外延和拉曼光谱
作者:
Olivier Briot
;
Benedicte Maleyre
;
Sandra Ruffenach
;
Claire Pinquier
;
Francois Demangeot
;
Jean Frandon
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
quantum dots;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
20.
Milliwatt power AlGaN quantum well deep ultraviolet light emitting diodes
机译:
毫瓦功率AlGaN量子阱深紫外发光二极管
作者:
A. Chitnis
;
V. Adivarahan
;
J. P. Zhang
;
M. Shatalov
;
S. Wu
;
J. Yang
;
G. Simin
;
M. Asif Khan
;
X. Hu
;
Q. Fareed
;
R. Gaska
;
M. S. Shur
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
21.
Microstructures, defects, and localization luminescence in InGaAsN alloy films
机译:
InGaAsN合金膜的微观结构,缺陷和局部发光
作者:
F. Nakajima
;
S. Sanorpim
;
T. Yamamoto
;
E. Takuma
;
R. Katayama
;
H. Ichinose
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
22.
MBE-growth, characterization and properties of InN and InGaN
机译:
MBN的生长,InN和InGaN的表征和性质
作者:
Y. Nanishi
;
Y. Saito
;
T. Yamaguchi
;
M. Hori
;
F. Matsuda
;
T. Araki
;
A. Suzuki
;
T. Miyajima
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
low-field transport and mobility;
piezoresistance;
III-V semiconductors;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
23.
Material quality improvement for homoepitaxial GaN and AlN layers grown on sapphire-based templates
机译:
在基于蓝宝石的模板上生长的同质外延GaN和AlN层的材料质量提高
作者:
A. S. Usikov
;
Dae-Woo Kim
;
A. I. Pechnikov
;
Yu. V. Ruban
;
M. A. Mastro
;
Yu. Melnik
;
V. A. Soukhoveev
;
Y. V. Shapovalova
;
O. V. Kovalenkov
;
G. H. Gainer
;
S. Mahajan
;
V. A. Dmitriev
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
24.
MOCVD growth and optical investigation of the AlInGaN quaternary system
机译:
AlInGaN四元体系的MOCVD生长和光学研究
作者:
T. Wang
;
P. J. Parbrook
;
M. A. Whitehead
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
25.
MOCVD growth of InGaN/GaN blue light emitting diodes on patterned sapphire substrates
机译:
在有图案的蓝宝石衬底上InGaN / GaN蓝色发光二极管的MOCVD生长
作者:
S. J. Chang
;
Y. K. Su
;
Y. C. Lin
;
R. W. Chuang
;
C. S. Chang
;
J. K. Sheu
;
T. C. Wen
;
S. C. Shei
;
C. W. Kuo
;
D. H. Fang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
electroluminescence;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
26.
Monte Carlo simulation of the exciton hopping in quaternary AlInGaN
机译:
四元AlInGaN中激子跳跃的蒙特卡罗模拟。
作者:
A. Zukauskas
;
K. Kazlauskas
;
G. Tamulaitis
;
M. A. Khan
;
J. W. Yang
;
J. Zhang
;
G. Simin
;
M. S. Shur
;
R. Gaska
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
excitons and related phenomena;
theory, models, and numerical simulation;
III-V semiconductors;
27.
Optical properties of InGaN based multiple quantum wells on low threading dislocation density GaN films fabricated by air-bridged lateral epitaxial growth
机译:
通过空桥横向外延生长制备的低穿线位错密度GaN膜上基于InGaN的多量子阱的光学性质
作者:
A. Ishibashi
;
G. Sugahara
;
Y. Kawaguchi
;
Y. Yamada
;
T. Taguchi
;
T. Yokogawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
quantum wells;
28.
Ultra-flat and high-quality AlN thin films on sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE
机译:
射频MBE在蓝宝石(0001)衬底上生长的超平坦高质量AlN薄膜
作者:
X. Q. Shen
;
Y. Tanizu
;
T. We
;
H. Okumura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
low-energy electron diffraction (LEED) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
atomic force microscopy (AFM);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epita;
29.
Influence of growth kinetics on the indium distribution during MOVPE growth of GaInN quantum wells
机译:
GaInN量子阱中MOVPE生长过程中生长动力学对铟分布的影响
作者:
E. Hahn
;
A. Rosenauer
;
D. Gerthsen
;
J. Off
;
F. Scholz
;
M. Vehse
;
J. Gutowski
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
solubility, segregation, and mixing;
phase separation;
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
30.
Effects of Al composition on luminescence properties of europium implanted Al_xGa_(1-x)N (0 ≤ x ≤ 1)
机译:
Al组成对of注入的Al_xGa_(1-x)N(0≤x≤1)的发光性能的影响
作者:
Y. Nakanishi
;
A. Wakahara
;
H. Okada
;
A. Yoshida
;
T. Ohshima
;
H. Itoh
;
T. Shibata
;
M. Tanaka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
31.
Effects of deposition parameters of low-temperature GaN layer on the structural and optical properties of cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) substrates by MOVPE
机译:
低温GaN沉积参数对MOVPE在GaAs(001)衬底上生长的立方GaN外延层的结构和光学性能的影响
作者:
Mutsumi Sugiyama
;
Taiki Nosaka
;
Kiyomi Nakajima
;
Parhat Ahmet
;
Toyomi Aoyama
;
Toyohiro Chikyow
;
Shigefusa F. Chichibu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor de;
32.
Effects of Mg fluctuation on the electrical and optical properties in p-GaN/undoped GaN layers dependent on the growth temperature
机译:
Mg波动对p-GaN /未掺杂GaN层中电学和光学性能的影响取决于生长温度
作者:
C. S. Kim
;
H. K. Cho
;
C.-H. Hong
;
E.-K. Suh
;
H. J. Lee
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
33.
Effect of AlN buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate
机译:
AlN缓冲层对Si衬底上InN外延膜生长的影响
作者:
T. Yamaguchi
;
Y. Saito
;
C. Morioka
;
K. Yorozu
;
T. Araki
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
clean metal, semiconductor, and insulator surfaces;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
34.
Effect of growth temperature and Si doping on the microstructure of GaN thin films grown on high temperature GaN
机译:
生长温度和硅掺杂对高温GaN上GaN薄膜微观结构的影响
作者:
Kwang Suk Son
;
Dongyu Kim
;
Hyung Koun Cho
;
Kyuhan Lee
;
Sunwoon Kim
;
Keunseop Park
;
Junho Kim
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
35.
Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma
机译:
生长中衬底偏压对电子回旋共振等离子体辅助分子束外延生长InN薄膜特性的影响
作者:
H. Yona
;
Y. Harada
;
T. Yodo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
36.
Drain current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT的漏极电流DLTS
作者:
T. Mizutani
;
T. Okino
;
K. Kawada
;
Y. Ohno
;
S. Kishimoto
;
K. Maezawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
field effect devices;
37.
Doping design of GaN-based heterostructure field-effect transistors with high electron density for high-power applications
机译:
用于高功率应用的具有高电子密度的GaN基异质结构场效应晶体管的掺杂设计
作者:
Narihiko Maeda
;
Takehiko Tawara
;
Tadashi Saitoh
;
Kotaro Tsubaki
;
Naoki Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
field effect devices;
38.
Blue light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
等离子体辅助分子束外延生长的蓝色发光二极管
作者:
Hitoshi Sato
;
Patrick Waltereit
;
Daniel S. Green
;
Christiane Poblenz
;
Thomas Katona
;
Steven P. DenBaars
;
James S. Speck
;
Hitoshi Tamura
;
Chihiro Funaoka
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
electroluminescence;
39.
Ab initio materials design and Curie temperature of GaN-based ferromagnetic semiconductors
机译:
GaN基铁磁半导体的从头材料设计和居里温度
作者:
K. Sato
;
P. H. Dederichs
;
K. Araki
;
H. Katayama-Yoshida
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
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2003年
关键词:
magnetic semiconductors;
40.
340-350 nm GaN-free UV-LEDs
机译:
340-350 nm不含GaN的UV-LED
作者:
T. Nishida
;
T. Ban
;
N. Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
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2003年
关键词:
visible and ultraviolet sources;
III-V semiconductors;
light-emitting devices;
41.
AlGaInN violet laser diodes grown on GaN substrates with low aspect ratio
机译:
低长宽比生长在GaN衬底上的AlGaInN紫激光二极管
作者:
Shigetoshi Ito
;
Yukio Yamasaki
;
Susumu Omi
;
Kunihiro Takatani
;
Toshiyuki Kawakami
;
Tomoki Ohno
;
Masaya Ishida
;
Yoshihiro Ueta
;
Takayuki Yuasa
;
Mototaka Taneya
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
III-V semiconductors;
42.
AlGaN/GaN microwave HFET including a thin AlN carrier exclusion layer
机译:
包括薄AlN载流子排除层的AlGaN / GaN微波HFET
作者:
R. S. Balmer
;
K. P. Hilton
;
K. J. Nash
;
M. J. Uren
;
D. J. Wallis
;
A. Wells
;
M. Missous
;
T. Martin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
field effect devices;
43.
Time resolved study of laser diode characteristics during pulsed operation
机译:
脉冲操作期间激光二极管特性的时间分辨研究
作者:
Christoph Eichler
;
Sven-Silvius Schad
;
Matthias Seyboth
;
Frank Habel
;
Marcus Scherer
;
Stephan Miller
;
Andreas Weimar
;
Alfred Lell
;
Volker Haerle
;
Daniel Hofstetter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
analytical and numerical techniques;
44.
The growth of In-rich InGaN/GaN single quantum wells by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长In-In-InGaN / GaN单量子阱
作者:
Hyun Jin Kim
;
Hyunseok Na
;
Soon-Yong Kwon
;
Hui-Chan Seo
;
Hee Jin Kim
;
Yoori Shin
;
Keon-Hun Lee
;
Young-Woon Kim
;
Sukho Yoon
;
Hye Jeong Oh
;
Cheolsoo Sone
;
Yongjo Park
;
Yong-Hoon Cho
;
Yuanping Sun
;
Euijoon Yoon
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
atomic force microscopy (AFM);
quantum wells;
quantum wells;
45.
The fabrication of GaN-based optical cavity mirrors by focused ion beam milling
机译:
聚焦离子束铣削制造GaN基光学腔镜
作者:
Qian Ren
;
Bei Zhang
;
Jun Xu
;
YanBo Jin
;
Zhijian Yang
;
XiaoDong Hu
;
ZhiXin Qin
;
ZhiZhong Chen
;
XiaoMin Ding
;
YuZhen Tong
;
ZhenSheng Zhang
;
GuoYi Zhang
;
DaPeng Yu
;
ZiZhao Gan
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
polishing, grinding, surface finishing;
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
46.
Surface treatment of GaN and InN using (NH_4)_2S_x
机译:
使用(NH_4)_2S_x对GaN和InN进行表面处理
作者:
T. Maruyama
;
K. Yorozu
;
T. Noguchi
;
Y. Seki
;
Y. Saito
;
T. Araki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
surface cleaning, etching, patterning;
passivation;
47.
Super high-power AlGaInN-based laser diodes with a single broad-area stripe emitter fabricated on a GaN substrate
机译:
超高功率基于AlGaInN的激光二极管,在GaN衬底上制造有单个广域条纹发射极
作者:
Shu Goto
;
Makoto Ohta
;
Yoshifumi Yabuki
;
Yukio Hoshina
;
Kaori Naganuma
;
Koshi Tamamura
;
Toshihiro Hashizu
;
Masao Ikeda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
48.
Superlattice stacking structure in InGaN thin film pseudomorphic to GaN (0001) substrate: semigrand canonical Monte Carlo simulation
机译:
与GaN(0001)衬底同晶的InGaN薄膜中的超晶格堆叠结构:准经典蒙特卡洛模拟
作者:
Atsushi Mori
;
Tomonori Ito
;
Yoshihiro Kangawa
;
Akinori Koukitu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
inorganic compounds;
solubility, segregation, and mixing;
phase separation;
composition and phase identification;
superlattices;
phase diagrams of other materials;
49.
The hot carrier dynamics in InGaN multi-quantum well structure
机译:
InGaN多量子阱结构中的热载流子动力学
作者:
A. Shikanai
;
K. Kojima
;
K. Omae
;
Y. Kawakami
;
Y. Narukawa
;
T. Mukai
;
Sg. Fujita
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
quantum wells;
50.
The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE
机译:
通过选择性MOVPE在(111)Si衬底上生长的AlGaN / GaN金字塔的AlGaN覆盖层中的成分不均匀性
作者:
Y. Honda
;
M. Torikai
;
T. Nakamura
;
Y. Kuroiwa
;
M. Yamaguchi
;
N. Sawaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
51.
Surface morphology of GaN layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on MOCVD-grown GaN template
机译:
等离子体辅助分子束外延在MOCVD生长的GaN模板上生长的GaN层的表面形态
作者:
Toshihide Ide
;
Mitsuaki Shimizu
;
Jason Kuo
;
Kulandaivel Jeganathan
;
Xu-Qiang Shen
;
Hajime Okumura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
52.
The effect of gallium adsorbate on SiC(0001) surface for GaN by MBE
机译:
MBE对GaN SiC(0001)表面吸附镓的影响。
作者:
K. Jeganathan
;
M. Shimizu
;
T. Ide
;
H. Okumura
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
low-energy electron diffraction (LEED) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED);
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
53.
The effect of nitrogen on self-assembled GaInNAs quantum dots grown on GaAs
机译:
氮对在GaAs上生长的自组装GaInNAs量子点的影响
作者:
A. Nishikawa
;
Y. G. Hong
;
C. W. Tu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
quantum dots;
III-V semiconductors;
quantum dots;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
54.
Structure analysis of ELO-GaN using a 2 x 4 μm~2 micro-beam X-ray of an 8-GeV storage ring
机译:
使用8 GeV存储环的2 x 4μm〜2微束X射线分析ELO-GaN的结构
作者:
T. Miyajima
;
M. Takeya
;
S. Goto
;
S. Tomiya
;
S. Takeda
;
H. Kurihara
;
K. Watanabe
;
M. Kato
;
N. Hara
;
Y. Tsusaka
;
J. Matsui
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
55.
Structural and electrical characterization of a-plane GaN grown on a-plane SiC
机译:
在a平面SiC上生长的a平面GaN的结构和电特性
作者:
M. D. Craven
;
A. Chakraborty
;
B. Imer
;
F. Wu
;
S. Keller
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
56.
Indium-free violet LEDs grown by HVPE
机译:
HVPE生产的无铟紫罗兰色LED
作者:
A. S. Usikov
;
D. V. Tsvetkov
;
M. A. Mastro
;
A. I. Pechnikov
;
V. A. Soukhoveev
;
Y. V. Shapovalova
;
O. V. Kovalenkov
;
G. H. Gainer
;
S. Yu. Karpov
;
V. A. Dmitriev
;
B. OMeara
;
S. A. Gurevich
;
E. M. Arakcheeva
;
A. L. Zakhgeim
;
H. Helava
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
electroluminescence;
light-emitting devices;
57.
Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE
机译:
InN和GaN衬底的晶格约束对MOVPE期间输入摩尔比与InGaN固体成分之间关系的影响
作者:
Y. Kangawa
;
T. Ito
;
Y. Kumagai
;
A. Koukitu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
theory of crystal structure, crystal symmetry;
calculations and modeling;
III-V semiconductors;
theory and models of film growth;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
58.
Impact of exciton localization on the optical properties of non-polar M-plane In_(0.1)Ga_(0.9)N/GaN multiple quantum wells
机译:
激子局域化对非极性M面In_(0.1)Ga_(0.9)N / GaN多量子阱光学性质的影响
作者:
Yue Jun Sun
;
Oliver Brandt
;
Sven Cronenberg
;
Holger T. Grahn
;
Klaus H. Ploog
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping;
III-V semiconductors;
quantum wells;
59.
Growth and characterization with high Cr content grown on ZnO templates
机译:
在ZnO模板上生长并具有高Cr含量的表征
作者:
J. J. Kim
;
H. Makino
;
P. P. Chen
;
T. Suzuki
;
D. C. Oh
;
H. J. Ko
;
J. H. Chang
;
T. Hanada
;
T. Yao
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
thin film structure and morphology;
other ferromagnetic metals and alloys;
60.
Growth of 100-mm-diameter AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates by MOVPE
机译:
MOVPE在蓝宝石衬底上生长直径为100 mm的AlGaN / GaN异质结构
作者:
M. Miyoshi
;
H. Ishikawa
;
T. Egawa
;
T. Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
field effect devices;
61.
Growth of high-quality GaN on FACELO substrate by raised-pressure HVPE
机译:
高压HVPE在FACELO衬底上生长高质量GaN
作者:
S. Bohyama
;
K. Yoshikawa
;
H. Naoi
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
;
T. Maeda
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
62.
Growth of non-polar a-plane Ⅲ-nitride thin films on Si(100) using non-polar plane buffer layer
机译:
使用非极性平面缓冲层在Si(100)上生长非极性a平面Ⅲ型氮化物薄膜
作者:
J.-H. Song
;
Y.-Z. Yoo
;
T. Sekiguchi
;
K. Nakajima
;
P. Ahmet
;
T. Chikyow
;
K. Okuno
;
M. Sumiya
;
H. Koinuma
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
laser deposition;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
63.
Growth of GaN on 4-inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer
机译:
在具有薄AlGaN / AlN中间层的4英寸Si衬底上生长GaN
作者:
H. Ishikawa
;
M. Kato
;
M. S. Hao
;
T. Egawa
;
T. Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
microscopy of surfaces, interfaces, and thin films;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
64.
Growth of GaN on a-plane sapphire: in-plane epitaxial relationships and lattice parameters
机译:
GaN在a面蓝宝石上的生长:面内外延关系和晶格参数
作者:
T. Paskova
;
V. Darakchieva
;
E. Valcheva
;
P. P. Paskov
;
B. Monemar
;
M. Heuken
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray scattering (including small-angle scattering);
convergent-beam electron diffraction, selected-area electron diffraction, nanodiffraction;
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
chemical vapor deposition (including pla;
65.
Growth of GaN on porous SiC and GaN substrates
机译:
在多孔SiC和GaN衬底上生长GaN
作者:
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
A. Sagar
;
C. D. Lee
;
R. M. Feenstra
;
D. D. Koleske
;
D. J. Diaz
;
P. W. Bohn
;
I. Adesida
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
porous materials;
granular materials;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
66.
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
机译:
InAlGaN薄膜的生长和光致发光
作者:
Da-Bing Li
;
Xun Dong
;
Jinsong Huang
;
Xianglin Liu
;
Zhongying Xu
;
Zhanguo Wang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
67.
High-voltage rf operation of AlGaN/GaN heterojunction FETs
机译:
AlGaN / GaN异质结FET的高压rf操作
作者:
M. Kuzuhara
;
H. Miyamoto
;
Y. Ando
;
T. Inoue
;
Y. Okamoto
;
T. Nakayama
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
amplifiers;
semiconductor-device characterization, design, and modeling;
field effect devices;
68.
High-temperature operation of an AlGaN/GaN HFET on a Si substrate using a thin GaN film
机译:
使用GaN薄膜在Si衬底上进行AlGaN / GaN HFET的高温操作
作者:
S. Yoshida
;
J. Li
;
T. Wada
;
H. Takehara
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
field effect devices;
69.
Hot-electron transport in Ⅲ-Ⅴ nitride based two-dimensional gases
机译:
Ⅲ-Ⅴ族氮化物基二维气体中的热电子传输
作者:
S. A. Vitusevich
;
S. V. Danylyuk
;
B. A. Danilchenko
;
N. Klein
;
S. E. Zelenskyi
;
A. P. Budnik
;
R. V. Didenko
;
A. Yu. Avksentyev
;
V. N. Sokolov
;
H. Lueth
;
V. A. Kochelap
;
A. E. Belyaev
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
high-field and nonlinear effects;
III-V and II-VI semiconductors;
electronic transport in interface structures;
70.
High-quality and thick InN films grown on 2-inch sapphire substrate by molecular-beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在2英寸蓝宝石衬底上生长高质量和厚InN膜
作者:
K. Xu
;
N. Hashimoto
;
B. Cao
;
T. Hata
;
W. Terashima
;
M. Yoshitani
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
71.
High-quality AlN epitaxial films on (0001)-faced sapphire and 6H-SiC substrate
机译:
(0001)面蓝宝石和6H-SiC衬底上的高质量AlN外延膜
作者:
T. Shibata
;
K. Asai
;
S. Sumiya
;
M. Mouri
;
M. Tanaka
;
O. Oda
;
H. Katsukawa
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
III-V semiconductors;
72.
High-quality quaternary AlInGaN epilayers on sapphire
机译:
蓝宝石上的高质量四元AlInGaN外延层
作者:
Yang Liu
;
Takashi Egawa
;
Hiroyasu Ishikawa
;
Takashi Jimbo
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
73.
High resolution near-field spectroscopy investigation of tilted InGaN quantum wells
机译:
倾斜的InGaN量子阱的高分辨率近场光谱研究
作者:
F. Hitzel
;
U. Ahrend
;
N. Riedel
;
U. Rossow
;
A. Hangleiter
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
near-field scanning microscopy and spectroscopy;
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
74.
HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate
机译:
在GaN模板化(111)Si衬底上厚GaN层的HVPE生长
作者:
Y. Nishimura
;
Y. Honda
;
M. Yamaguchi
;
N. Sawaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
cathodoluminescence, ionoluminescence;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
75.
Influence of excited states of Mg acceptors on hole concentration in GaN
机译:
Mg受体的激发态对GaN中空穴浓度的影响
作者:
H. Matsuura
;
D. Katsuya
;
T. Ishida
;
S. Kagamihara
;
K. Aso
;
H. Iwata
;
T. Aki
;
S.-W. Kim
;
T. Shibata
;
T. Suzuki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
76.
Oxidation treatment on Ni/Au Ohmic contacts to p-type GaN
机译:
Ni / Au欧姆接触对p型GaN的氧化处理
作者:
Z. Z. Chen
;
Z. X. Qin
;
X. D. Hu
;
T. J. Yu
;
B. Zhang
;
Z. J. Yang
;
Y. Z. Tong
;
X. M. Ding
;
G. Y. Zhang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
contact resistance, contact potential;
III-V semiconductors;
77.
Narrow-line excitonic luminescence in GaN/AlGaN nanostructures based on inversion domains
机译:
基于反转域的GaN / AlGaN纳米结构中的窄线激子发光
作者:
T. V. Shubina
;
K. F. Karlsson
;
V. N. Jmerik
;
S. V. Ivanov
;
A. Kavokin
;
P. O. Holtz
;
P. S. Kopev
;
B. Monemar
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
quantum dots;
78.
Novel growth technique for the reducing dislocation density in GaN on sapphire substrate
机译:
降低蓝宝石衬底上GaN中位错密度的新型生长技术
作者:
T. Kunisato
;
Y. Nomura
;
H. Ohbo
;
T. Kano
;
N. Hayashi
;
M. Hata
;
T. Yamaguchi
;
M. Shono
;
M. Sawada
;
A. Ibaraki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD,;
79.
Improved quality of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence
机译:
两波长激发光致发光揭示了等离子体辅助MBE生长的GaN / AlGaN量子阱的质量提高
作者:
H. Klausing
;
N. Kamata
;
F. Takahashi
;
F. Fedler
;
D. Mistele
;
J. Aderhold
;
O. K. Semchinova
;
J. Graul
;
T. Someya
;
Y. Arakawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
80.
Improved optical properties using self-organized GaN nanotip structure
机译:
使用自组织的GaN纳米尖端结构改善了光学性能
作者:
H. Yamaji
;
Y. Terada
;
H. Yoshida
;
H. Miyake
;
K. Hiramatsu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical properties of bulk materials and thin films;
III-V semiconductors;
self-assembly;
81.
Improved crystallinity and polarity manipulation of MOVPE-grown GaN epilayers with deep sapphire-nitridation followed by Al-preflow at high temperatures
机译:
通过深蓝宝石氮化和高温下的Al预流化,改善MOVPE生长的GaN外延层的结晶度和极性控制
作者:
B. W. Seo
;
Y. Ishitani
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
atomic force microscopy (AFM);
semiconductor surfaces;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
82.
Improvement of light extraction efficiency of UV-LED grown on low-dislocation-density AlGaN
机译:
低位错密度AlGaN上生长的UV-LED的光提取效率的提高
作者:
M. Iwaya
;
S. Takanami
;
A. Miyazaki
;
T. Kawashima
;
K. Iida
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
light-emitting devices;
83.
Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs (111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers
机译:
通过定期插入低温GaN缓冲层来改善GaAs(111)A上厚GaN层的晶体质量
作者:
H. Murakami
;
N. Kawaguchi
;
Y. Kangawa
;
Y. Kumagai
;
A. Koukitu
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
vapor phase epitaxy;
growth from vapor phase;
84.
Improvement of the optical properties of GaN epilayers on Si(111): Impact of GaAs layer thickness on Si and pre-growth strategy
机译:
改善Si(111)上GaN外延层的光学性能:GaAs层厚度对Si的影响和预生长策略
作者:
Bablu K. Ghosh
;
Akihiro Hashimoto
;
Akio Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC);
structure and morphology;
thickness;
crystalline orientation and texture;
III-V semiconductors;
molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy;
85.
High efficiency GaN-based LEDs using plasma selective treatment of p-GaN surface
机译:
使用p-GaN表面的等离子体选择性处理的高效GaN基LED
作者:
Young-Bae Lee
;
Ryohei Takaki
;
Hisao Sato
;
Yoshiki Naoi
;
Shiro Sakai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
etching and cleaning;
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
86.
High efficiency AlGaInN-based light emitting diode in the 360-380 nm wavelength range
机译:
波长范围为360-380 nm的高效AlGaInN基发光二极管
作者:
Hisao Sato
;
Hong-Xing Wang
;
Daisuke Sato
;
Ryohei Takaki
;
Naoki Wada
;
Tetsuya Tanahashi
;
Kenji Yamashita
;
Shunsuke Kawano
;
Takashi Mizobuchi
;
Akihiko Dempo
;
Kenji Morioka
;
Masahiro Kimura
;
Suguru Nohda
;
Tomoya Sugahara
;
Shiro Sakai
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
87.
Heat generation and dissipation in GaN-based light emitting devices
机译:
GaN基发光器件中的热量产生和散发
作者:
Stephan Figge
;
Tim Boettcher
;
Detlef Hommel
;
Christoph Zellweger
;
Marc Ilegems
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
semiconductor lasers;
laser diodes;
structural modeling: serial-addition models, computer simulation;
thermal properties of crystalline solids;
III-V semiconductors;
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
88.
High brightness blue and green light emitting quantum wells with graded-In-content profile grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的高梯度蓝光和绿光量子阱
作者:
Yuanping Sun
;
Yong-Hoon Cho
;
E.-K. Suh
;
H. J. Lee
;
R. J. Choi
;
Y. B. Hahn
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter;
III-V semiconductors;
quantum wells;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
89.
Investigation of traps in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
机译:
硅衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的陷阱的研究
作者:
M. Wolter
;
M. Marso
;
P. Javorka
;
J. Bernat
;
R. Carius
;
H. Lueth
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.;
III-V semiconductors;
impurity and defect levels;
energy states of adsorbed species;
field effect devices;
90.
Investigation of oxygen incorporation in AlGaN/GaN heterostructures
机译:
AlGaN / GaN异质结构中氧的掺入研究
作者:
Ho Won Jang
;
Min-Kyu Lee
;
Hyun-Joon Shin
;
Jong-Lam Lee
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
scanning auger microscopy, photoelectron microscopy;
surface states, band structure, electron density of states;
adsorbed layers and thin films;
91.
Influence of oxygen on luminescence and vibrational spectra of Mg-doped GaN
机译:
氧对掺Mg GaN的发光和振动光谱的影响
作者:
Yasuo Koide
;
D. E. Walker
;
Jr.
;
B. D. White
;
L. J. Brillson
;
T. Itoh
;
R. L. McCreery
;
Masanori Murakami
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
92.
Influence of Sb surfactant on the structural and optical properties of InGaAsN/GaAs multi-quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
锑表面活性剂对金属有机化学气相沉积InGaAsN / GaAs多量子阱结构和光学性质的影响
作者:
J. Y. Park
;
T. S. Kim
;
T. V. Cuong
;
C. S. Park
;
C.-H. Hong
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
X-ray diffraction;
III-V semiconductors;
III-V semiconductors;
quantum wells;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
93.
Infrared measurements of InN films at low temperatures
机译:
低温下InN薄膜的红外测量
作者:
Y. Ishitani
;
K. Xu
;
W. Terashima
;
N. Hashimoto
;
M. Yoshitani
;
T. Hata
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity);
III-V and II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
94.
Study on off-state breakdown in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT中的断态击穿研究
作者:
Takeshi Nakao
;
Yutaka Ohno
;
Shigeru Kishimoto
;
Koichi Maezawa
;
Takashi Mizutani
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
field effect devices;
95.
Strain-engineered novel III-N electronic devices with high quality dielectric/semiconductor interfaces
机译:
具有高品质介电/半导体接口的应变工程新型III-N电子设备
作者:
M. Asif Khan
;
M. S. Shur
;
G. Simin
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
electroluminescence;
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
96.
InGaN self-organized quantum dots grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD)
机译:
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN自组织量子点
作者:
L. S. Wang
;
S. J. Chua
;
K. Y. Zang
;
S. Tripathy
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
atomic force microscopy (AFM);
III-V semiconductors;
quantum dots;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
97.
InGaN/GaN multiple-quantum-well dual-wavelength near-white light emitting diodes
机译:
InGaN / GaN多量子阱双波长近白色发光二极管
作者:
Chin-Hsiang Chen
;
Shoou-Jinn Chang
;
Yan-Kuin Su
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
optoelectronic device characterization, design, and modeling;
light-emitting devices;
98.
Stranski-Krastanow growth of stacked GaN quantum dots with intense photoluminescence
机译:
具有强光致发光的堆叠式GaN量子点的Stranski-Krastanow生长
作者:
K. Hoshino
;
S. Kako
;
Y. Arakawa
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
99.
strain effects on Auger electron spectroscopy in different regions of epitaxial-lateral-overgrowth GaN
机译:
应变对外延-横向-过量生长GaN不同区域中俄歇电子能谱的影响
作者:
Duanjun Cai
;
Junyong Kang
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
mechanical and acoustical properties;
density functional theory, local density approximation, gradient and other corrections;
electron impact: auger emission;
III-V semiconductors;
chemical composition analysis, chemical depth and dopant profiling;
100.
Strong ultraviolet emission from non-polar AlGaN/GaN quantum wells grown over r-plane sapphire substrates
机译:
r面蓝宝石衬底上生长的非极性AlGaN / GaN量子阱发出的强紫外线
作者:
W. H. Sun
;
E. Kuokstis
;
M. Gaevski
;
J. P. Zhang
;
C. Q. Chen
;
H. M. Wang
;
J. W. Yang
;
G. Simin
;
M. Asif Khan
;
R. Gaska
;
M. S. Shur
会议名称:
《International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-5); 20030525-20030530; Nara; JP》
|
2003年
关键词:
III-V semiconductors;
electroluminescence;
quantum wells;
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
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