机译:AlN缓冲层对Si衬底上InN外延膜生长的影响
Molecular-beam epitaxy; Fundamental-band gap; Indium nitride; Absorption; Alloys; Edge;
机译:AlN缓冲层对Si衬底上InN外延膜生长的影响
机译:RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
机译:利用高温生长套房/ GaN缓冲层的蓝宝石衬底高质量宜人薄膜的外延生长
机译:ALN缓冲层对Si衬底Inn外延膜生长的影响
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:通过自组装的PtSe2缓冲层在SiO2 / Si上可扩展外延生长WSe2薄膜
机译:具有TiN缓冲层的si衬底上的外延NbN / alN / NbN隧道结