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公开/公告号CN206271710U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201621385234.3
发明设计人 李国强;高芳亮;温雷;张曙光;徐珍珠;韩晶磊;余粤锋;
申请日2016-12-16
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人陈文姬
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-22 02:38:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-20
授权
机译: 由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译: 使用薄缓冲层直接生长在SiO 2 Sub> / Si衬底上的BST集成
机译: 使用直接生长在SiO2 / Si衬底上的薄缓冲层进行BST集成
机译:RF等离子体辅助分子束外延生长在(111)Si衬底上的Eu掺杂GaN纳米柱的结构和光学性质
机译:以InN为中间层的带柱硅衬底上的InGaN / GaN量子阱纳米柱晶体
机译:垂直型光学器件使用自催化生长在图案化Si衬底上的径向InP / InAsP / InP异质结构纳米线
机译:GaN-Si-MEMS结构由纳米柱GaN量子阱晶体生长在Si衬底上
机译:使用磷化铟纳米柱上的硫化镉涂层的核-壳纳米柱阵列太阳能电池。
机译:通过使用阳极氧化铝纳米模板的可转移InN纳米柱的选择性区域生长。
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用
机译:通过区域熔融再结晶和随后的外延生长在siO 2涂覆的si衬底上制备的si薄膜中的微秒载流子寿命