公开/公告号CN106783948A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201611166965.3
申请日2016-12-16
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L21/02(20060101);C30B23/02(20060101);C30B29/60(20060101);C30B29/40(20060101);C30B29/02(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人陈文姬
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-06-19 02:20:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20161216
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
机译: 由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译: 使用薄缓冲层直接生长在SiO 2 Sub> / Si衬底上的BST集成
机译: 使用直接生长在SiO2 / Si衬底上的薄缓冲层进行BST集成