利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料

摘要

提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XRD双晶衍射曲线半高宽分别为273 arcsec，位错腐蚀结果显示线位错密度约为1.5×106 cm-2，具有良好的结晶质量。