机译:在SiGe缓冲层上生长的应变硅的结构表征
机译:拉伸应变Si层对在弛豫的SiGe / Si(001)缓冲层上生长的Ge(Si)自组装岛的光致发光的影响
机译:一种新颖的三层梯度SiGe应变弛豫缓冲器,可实现高质量晶体并外延生长应变Si_(0.5)Ge_(0.5)层
机译:通过分子束外延在预构造Si 001衬底上生长的SiGe阶梯梯度缓冲层的结构表征
机译:纳米图案化硅上金属有机气相外延生长的(211)B碲化镉缓冲层的生长和表征,用于基于碲化汞的红外探测器。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:硅片上的应变硅通过晶圆键合和弛豫siGe缓冲层的层转移