晶体管:按作用分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有561篇,会议文献有154篇,学位文献有165篇等,晶体管:按作用分的主要作者有王因生、张树丹、傅义珠,晶体管:按作用分的主要机构有南京电子器件研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门大学物理学系等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现...
2.[期刊]
摘要: 基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器...
3.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)因具有低导通电阻、高开关速度以及低温度依赖性等优势成为功率开关应用的一个可行器件,其动态特性主要取决于P/N结中可控硅...
4.[期刊]
摘要: 逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点。RC-IGBT...
5.[期刊]
摘要: 依据功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的实际电参数指标要求,利用TCAD半导体器件仿真软件和晶体管原理对其进行深入的分析。结果表明,针对较大测试电流、较高电流...
6.[期刊]
摘要: 在传统平面栅IEGT器件基础上,设计了一种复合栅结构IEGT器件,器件兼容了电子注入增强和载流子存储层技术.器件纵向延展的沟槽栅增加器件有效栅极长度而不额外增...
7.[期刊]
摘要: 针对电子技术课程教学中,晶体管放大器的非线性失真现象及其产生机理、数学模型分析过程抽象难懂问题,设计了一款晶体管放大电路非线性失真综合实验装置.该实验装置基于...
8.[期刊]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是功率变流器中最常用,也是故障率最高的元器件,因此其健康状态分类评估极为重要.文中基于聚类分类算法建立了IGBT模块的健康状态分...
9.[期刊]
摘要: 针对IGBT寿命预测问题,提出了基于思维进化算法(MEA)优化的反向传播(MEA-BP)神经网络算法的IGBT结温预测算法模型,确定了集电极-发射极关断电压尖...
10.[期刊]
摘要: 以高功率IGBT模块散热为主题,针对目前传统热管散热器(传统模组)存在的翅片均温性不佳、散热效率较低的问题,设计一款新型的热管分层嵌入式结构的散热器(新型模组...
11.[期刊]
摘要: 为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试.通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电...
12.[期刊]
摘要: GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景.GaN ...
13.[期刊]
摘要: 采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V...
14.[期刊]
摘要: 文章通过对IGBT失效机理进行分析,选取集电极-发射极电压作为IGBT寿命评估参数,结合NASA艾姆斯实验中心IGB T加速老化数据集,建立了小波神经网络预测...
15.[期刊]
摘要: IGBT模块广泛应用于功率变流装置中,是变流装置中最为核心的器件之一,也是变流装置中最易失效的器件之一,对IGBT模块进行可靠性评估对提高变流装置的可靠性具有...
16.[期刊]
摘要: 单相整流变换和三相整流变换被广泛的运用在电力机车牵引变流器,风力发电,光伏发电等各种工业设备中,单相整流变换相对于三相整流变换更加容易发生故障.为了解决这个问...
17.[期刊]
摘要: IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在电力系统、 交通、 军工、 航天等诸多领域得到广泛应用,其可靠性关乎整个系统的稳定,而模块的结温是IGBT可靠性研究中至关重要...
18.[期刊]
摘要: 研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图.成果来自于安徽省省级重点科技攻关项目...
19.[期刊]
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件
摘要: AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种...
20.[期刊]
摘要: 碳化硅(SiC)宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、电流密...
1.[会议]
摘要: 本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DP...
2.[会议]
摘要: 本文介绍了近年来本课题组在半导体脉冲功率开关反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)器件方面所做的基础研究工作以及工程应...
3.[会议]
摘要: 本文针对一种双极型功率晶体管的失效问题进行了分析.通过Ⅳ特性测试,双极型晶体管的基极与发射极接近短路,基极与集电极呈电阻特性,导致了应用电路的输出电压发生跳变...
4.[会议]
摘要: GaN属于第三代宽禁带半导体器件,由于其材料的先进性,使得它与Si MOSFET和SiC MOSFET相比具有更高的开关速度和更低的开关损耗,可以应用于高频领...
5.[会议]
摘要: 电力电子技术是当代智能电网发展的关键技术,而电力电子技术水平极大程度地受制于电力电子器件的水平,如器件的电压、电流、工作频率等.以全控器件IGBT(绝缘栅双极...
6.[会议]
AlGaN/GaN HEMT场板下SiNx厚度对电流崩塌的影响
摘要: 以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlG...
7.[会议]
摘要: 氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)可应用于比传统半导体器件更大功率、更高频率和更高温度的场合,因此,GaN基HEMT器件被认为是下一代通信系统和...
8.[会议]
摘要: 目前,AlGaN/GaN HEMT作为大功率器件,其功率特性一直是研究的重点.而击穿电压是制约AlGaN/GaN HEMT在高功率高耐压电路应用中的关键参数....
9.[会议]
摘要: 目前,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟...
10.[会议]
摘要: 相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力...
11.[会议]
摘要: 相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.AlGaN/GaN异质结因...
12.[会议]
摘要: 宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移...
13.[会议]
摘要: 氮化镓基常关型高电子迁移率晶体管(GaN Normally-off HEMT)可以简化电路设计、降低复杂度,成为当前研究热点之一.传统AlGaN/GaN HE...
14.[会议]
摘要: 在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility ...
15.[会议]
硅上AlGaN/GaN异质结构中高场条件下热电子的俘获机制以及相应缺陷表征
摘要: 硅上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压功率器件中具有重要的应用前景.然而,由于器件高压过程中载流子的俘获效应,GaN基器件的可靠性仍存在问...
16.[会议]
Si衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT中SiNx钝化应力与界面缺陷特性关系研究
摘要: SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vap...
17.[会议]
摘要: 自从半导体材料出现以来,现代科技经历了前所未有的飞速发展.同时,不断进步的现代科技对半导体产品有着越来越高的要求.想要满足这些要求,人们势必要对新型半导体材料...
18.[会议]
新型复合栅介质层结构AlGaN/GaN MIS-HEMT优化设计
摘要: 由于GaN材料的禁带宽度大、临界击穿电场高和电子饱和速度大等,非常适合于微波大功率器件的应用,使其成为新一代毫米波器件的理想候选.而引入栅介质层形成MIS-H...
19.[会议]
摘要: 与第一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场强度以及更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的极化效应,在AlGaN...
20.[会议]
摘要: 深入探究和分析固态微波功率器件测试中的影响因素及注意事项,并给出解决问题的措施;采用负载牵引技术及TRL校准技术实现测试系统的阻抗匹配和测试夹具的校准,搭建测...
1.[学位]
摘要: 基于氮化镓(GaN)材料的新型半导体功率器件由于其高电子迁移率、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的电气特性,在高压、高频和大功率场合具有巨大的潜力,受到人...
2.[学位]
摘要: 目前,柔性直流输电在全世界范围内,尤其是我国,都在朝着高电压等级,大容量方向发展,这无疑对其中关键设备换流阀和混合式直流断路器有了更高的要求。同样,作为换流阀...
3.[学位]
摘要: LIGBT因为其具有低导通压降、低泄漏电流、高输入阻抗、易于集成等优良特性成为功率集成电路领域耀眼的新星器件。LIGBT导通时阳极注入空穴,使漂移区发生调制,...
4.[学位]
摘要: 无线通信产业的发展和移动互联设备的增加对无线通信频段带宽提出了更高的需求,毫米波频段十分可观的资源显得更有吸引力,通信产业的发展同时也促进了毫米波器件的研制。...
5.[学位]
摘要: 随着无线通信、雷达和电子战等领域的快速发展,人们对微波收发机的性能提出了更高的要求。功率放大器作为发射机的关键组件,其中最主要、最关键的是功率晶体管,其带宽、...
6.[学位]
摘要: RF LDMOS(Radio Frequency Lateral Double Diffused Metal Oxide Silicon)以其增益高、线性好、...
7.[学位]
摘要: 随着科学技术的不断发展,如何在不同环境,不同应用背景下测量出微波材料复介电常数对科技的进步、社会的发展起到举足轻重的作用。目前,材料复介电常数测试的方法有很多...
8.[学位]
摘要: 脉冲功率开关是脉冲功率系统组成中的核心元件之一,其性能好坏制约着脉冲功率技术的发展。反向开关晶体管RSD(Reversely switched dynisto...
9.[学位]
摘要: 脉冲功率技术是一种将缓慢储存起来的能量在极短时间内释放出来产生高功率能量脉冲的技术,其已经在国防工业和民用工业得到广泛应用。脉冲功率集成是对脉冲功率装置的模块...
10.[学位]
摘要: 作为电力电子设备中重要的大功率开关器件,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)已经被应用到众多领域,...
11.[学位]
摘要: 近年来,无线频谱资源日益匮乏,普及绿色通信势在必行,这导致无线通信系统的性能指标变得尤为重要。射频与微波功率放大器是决定无线通信系统中发射机的线性度、效率和带...
12.[学位]
摘要: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)自1982年诞生以来,在逆变器、变频器、电力传动、轨道交通等领域得到了广泛的应用,是当今成长最快的一种混合型功率电力电子器件,并一...
13.[学位]
摘要: 碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功率半导体领域的研究热...
14.[学位]
摘要: GaN功率开关器件因为其耐高温、耐高压、高功率容量和高频的特点在未来商用和军用市场有着巨大的应用潜力。增强型技术是当前研究GaN功率开关器件的热点内容之一。然...
15.[学位]
摘要: 随着人们对于半导体功率器件性能参数要求的不断提高,半导体功率器件不断朝着高电压大电流的方向发展,不断增加的热功耗所引发的结温升高以及器件相关可靠性能降低等问题...
16.[学位]
摘要: Si基功率半导体器件经过数十年的发展,已经接近其性能极限。为了满足电力电子技术的快速发展需要,以GaN为代表的第三代宽禁带半导体成为了研究的热点。以AlGaN...
17.[学位]
摘要: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性器件,具有高频率、高电压、大电流,易于开关...
18.[学位]
摘要:
现代脉冲功率技术对高频、高压、高温下的应用要求越来越严格,作为脉冲功率系统中的核心部件,开关器件的发展也因此受到了很大的挑战。
采用宽禁带半导体材料...
19.[学位]
摘要: 脉冲功率开关是脉冲功率系统重要组成之一,逐渐朝着更高性能的方向发展,反向开关晶体管RSD(Reversely Switched Dynistor)由俄罗斯科学...