公开/公告号CN101273449A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-09-24
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申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;
申请/专利号CN200680035335.0
发明设计人 M·R·西克瑞斯特;L·菲;
申请日2006-08-01
分类号H01L21/762;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人马江立
地址 美国密苏里州
入库时间 2023-12-17 20:53:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-02-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/762 公开日:20080924 申请日:20060801
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-11-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-24
公开
公开
机译: 具有具有改善的结晶度(SSOI)结构的应变硅层的应变绝缘体上硅
机译: 绝缘硅(SSOI)结构中的应变硅,其在应变硅层中的结晶度得到了改善
机译: 绝缘硅(SSOI)结构中的应变硅,其在应变硅层中的结晶度得到了改善