机译:完全耗尽的应变绝缘体上硅(sSOI)上的短而窄的MOSFET的电学特性和衍射特性
CEA-INAC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France CEA-LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
rnCEA-LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
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rnCEA-INAC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
silicon-on-insulator technology; strain; x-ray measurements; mobility;
机译:完全耗尽型绝缘硅上的MOSFET在扩展温度范围和反向偏置操作下的随机电报噪声的电特性
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:部分耗尽和完全耗尽的应变SOI MOSFET的性能增强以及应变硅器件参数的表征
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:完全耗尽的绝缘体上的噪声和波动
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应