Gallium arsenides; Diodes; Evaporation; Ions; Sputtering; Substrates; Organometalliccompounds; Epitaxial growth; Aluminum gallium arsenides; Heterojunctions; Reprints;
机译:由ECR-IBAE制造的应变层InGaAs-AlGaAs量子阱脊波导二极管激光器的均匀线性阵列
机译:大功率高温InGaAs-AlGaAs应变层量子阱二极管激光器
机译:InGaAs-AlGaAs-GaAs应变层量子阱异质结构方环激光器
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:分子束外延生长的应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs激光器用于高速调制
机译:ECR-IBaE制备的应变层InGaas-alGaas量子阱脊波导二极管激光器的均匀线性阵列