制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构

摘要

一种绝缘体上硅(SOI)器件和结构，在硅有源层中具有局部应变区域，通过增大隔开硅有源层和衬底的掩埋绝缘层的下方区域的厚度而形成。从绝缘层的下方加厚区域传递到上方应变区域的应力增大了有源层的这些受限区域中的载流子迁移率。形成在该硅有源层中和上的器件可受益于隔开的应变区域中的增大的载流子迁移率。