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International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09
International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09
召开年:
2009
召开地:
College Park, MD(US);College Park, MD(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
A modeling of the retention characteristics of non-volatile memories embedded with metallic nanoparticles
机译:
嵌入金属纳米颗粒的非易失性存储器的保留特性建模
作者:
Beniakar M.
;
Sargentis Ch.
;
Xanthakis J. P.
;
Anastassopoulos A.
;
Kladas A.
;
Tsamakis D
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
2.
Leakage current quenching and lifetime enhancement in 3D pillar structured silicon PIN diodes
机译:
3D柱状结构的硅PIN二极管的漏电流猝灭和寿命提高
作者:
Shao Q.
;
Conway A. M.
;
Voss L. F.
;
Heineck D. P.
;
Reinhardt C. E.
;
Graff R. T.
;
Nikolic R. J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
3.
Modeling GaN HEMTs using thermal particle-based device simulator
机译:
使用基于热粒子的设备模拟器对GaN HEMT建模
作者:
Padmanabhan Balaji
;
Ashok Ashwin
;
Vasileska Dragica
;
Goodnick Stephen M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
4.
Optimization and characterization of RF MEMS inductors fabricated in PolyMUMPS technology
机译:
采用PolyMUMPS技术制造的RF MEMS电感器的优化和特性
作者:
Moreno-Villarreal M. G.
;
Jr.-Garcia J. Mireles
;
Ambrosio-Lazaro R. C.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
5.
Investigating the BJT-like behavior of MOSFETs in ultra-deep-submicron CMOS technologies with significant gate current
机译:
研究具有明显栅极电流的超深亚微米CMOS技术中MOSFET的BJT状行为
作者:
Bohannon E.
;
Washburn C.
;
Mukund P.R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
6.
Application of a novel test system to characterize single-event transients at cryogenic temperatures
机译:
新型测试系统在低温下表征单事件瞬态的应用
作者:
Ramachandran Vishwanath
;
Gadlage Matthew J.
;
Ahlbin Jonathan R.
;
Alles Michael L.
;
Reed Robert A.
;
Bhuva Bharat L.
;
Massengill Lloyd W.
;
Black Jeffrey D.
;
Foster Christopher N.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
7.
AlInN/ GaN heterostructure field-effect transistors
机译:
AlInN / GaN异质结构场效应晶体管
作者:
Yang Jinwey
;
Hu Xuhong
;
Deng Jianyu
;
Gaska Remis
;
Shur Michael
;
Simin Grigory
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
8.
Deep micromachining of poly-ethylene terephthalate for plastic MEMS applications
机译:
聚对苯二甲酸乙二醇酯的深微加工,用于塑料MEMS应用
作者:
Pajouhi H.
;
Mohajerzadeh S.
;
Nayeri F.
;
Parsinejad F.
;
Sanaee Z.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
9.
Experimental study on uniaxially stressed Gate-All-Around silicon nanowires nMOSFETs on (110) silicon-on-insulator
机译:
(110)绝缘体上硅的单轴应力全能栅极硅纳米线nMOSFET的实验研究
作者:
Chen Jiezhi
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
10.
AC analysis of UMOSFET ACCUFET
机译:
UMOSFET ACCUFET的交流分析
作者:
Peyvast N.
;
Fathipour M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
11.
Investigation of breakdown behavior for AlGaN HEMTs
机译:
AlGaN HEMT的击穿行为研究
作者:
Huebschman Benjamin D.
;
Darwish Ali
;
Goldsman Neil
;
Vivieros Edward A.
;
Hung Alfred
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
12.
Complementary oxide memristor technology facilitating both inhibitory and excitatory synapses for potential neuromorphic computing applications
机译:
辅助氧化物忆阻器技术,可促进抑制性突触和兴奋性突触的潜在神经形态计算应用
作者:
Doolittle W. Alan
;
Calley W. Laws
;
Henderson Walter
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
13.
High-temperature characterization of 1200 V SiC DMOSFETs
机译:
1200 V SiC DMOSFET的高温特性
作者:
Green Ronald
;
Everhart Lauren
;
Lelis Avars
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
14.
ZnO nanobridge devices fabricated on carbonized photoresist
机译:
在碳化光刻胶上制造的ZnO纳米桥器件
作者:
Pelatt B.
;
Huang C. C.
;
Conley J. F.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
15.
Electron trapping at interface states in SiO
2
/4H-SiC and SiO
2
/6H-SiC MOS capacitors
机译:
SiO
2 inf> / 4H-SiC和SiO
2 inf> / 6H-SiC MOS电容器在界面态的电子俘获
作者:
Basile A. F.
;
Rozen J.
;
Chen X. D.
;
Dhar S.
;
Williams J. R.
;
Feldman L. C.
;
Mooney P. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
16.
Design of SOI FinFET on 32 nm technology node for low standby power (LSTP) operation considering gate-induced drain leakage (GIDL)
机译:
考虑栅极感应的漏极泄漏(GIDL)的低待机功耗(LSTP)操作的32 nm技术节点上的SOI FinFET设计
作者:
Cho Seongjae
;
Lee Jung Hoon
;
Ouchi Shinichi
;
Endo Kazuhiko
;
Masahara Meishoku
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
17.
Science underpinning the quality of transfer printing
机译:
科学是转移印刷质量的基础
作者:
Li Teng
;
Tucker Matthew B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
18.
Reliability measurement of single axis capacitive accelerometers employing mechanical, thermal and acoustic stresses
机译:
利用机械,热和声应力的单轴电容式加速度计的可靠性测量
作者:
Zaiyadi Nazman
;
Mohd.-Yasin Faisal
;
Nagel David. J.
;
Korman Can E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
19.
Graphene Morphology Modulated by Nanowires Patterned on a Substrate Surface
机译:
石墨烯的形态由在基底表面上构图的纳米线调节
作者:
Li Teng
;
Zhang Zhao
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
20.
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates
机译:
硅基板上的外延石墨烯顶栅FET
作者:
Kang Hyun-Chul
;
Karasawa Hiromi
;
Miyamoto Yu
;
Handa Hiroyuki
;
Fukidome Hirokazu
;
Suemitsu Tetsuya
;
Suemitsu Maki
;
Otsuji Taiichi
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
21.
Self-consistent thermal and electrical analysis of silicon carbide power DMOSFET heating and cooling
机译:
碳化硅功率DMOSFET加热和冷却的自洽热电分析
作者:
Akturk A.
;
Potbhare S.
;
Goldsman N.
;
Lelis A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
22.
Effects of temperature on reverse short channel effect in pocket implanted sub-100 nm n-MOSFET
机译:
温度对口袋注入100 nm以下n-MOSFET的反向短沟道效应的影响
作者:
Bhuyan Muhibul Haque
;
Khosru Quazi D. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
23.
Flexible temperature sensor array of PDMS-encapsulated conductive CNT thin films fabricated by solution process
机译:
溶液法制备PDMS封装的导电CNT薄膜的柔性温度传感器阵列
作者:
Kwon Minkyu
;
Hong Yongtaek
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
24.
20GHz low power CMOS single chip receiver using resonant transformer techniques for enhanced demodulation efficiency
机译:
采用谐振变压器技术的20GHz低功耗CMOS单芯片接收器,可提高解调效率
作者:
Li Bo
;
Yang Bo
;
Salter Thomas
;
Zhai Yiming
;
Goldsman Neil
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
25.
Sub-micron Esaki Tunnel Diode fabrication and characterization
机译:
亚微米Esaki隧道二极管的制造与表征
作者:
Pawlik D.J.
;
Romanczyk B.
;
Freeman E.
;
Thomas P.M.
;
Barth M.
;
Rommel S.L.
;
Cheng Z.
;
Li J.
;
Park J.S.
;
Hydrick J.M.
;
Fiorenza J.G.
;
Lochtefeld A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
26.
A design of 1T memory cells using channel traps for long data retention time
机译:
使用通道陷阱的1T存储单元设计可延长数据保留时间
作者:
Chen Y.-T.
;
Huang C.-F.
;
Sun H.-C.
;
Wu T.-Y.
;
Ku C.-Y.
;
Liu C. W.
;
Hsu Y.-C.
;
Chen J.-S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
27.
A case study: Reliability of smartcard applications and implementation in university environment, Malaysia
机译:
案例研究:马来西亚大学环境中智能卡应用程序的可靠性和实施
作者:
Kassim M.
;
Yahya S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
28.
Inverse subthreshold slope of zero-Schottky-barrier torsional strained single- and double-walled carbon nanotube transistors
机译:
零肖特基势垒扭转应变单壁和双壁碳纳米管晶体管的亚阈值反斜率
作者:
Wahab Md. Abdul
;
Khosru Quazi D. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
29.
Semiconductor-dielectric interfacial study using spectral-spatial photocurrent probes and 1/f noise probe in organic field effect transistors
机译:
在有机场效应晶体管中使用光谱空间光电流探针和1 / f噪声探针进行半导体介电界面研究
作者:
Jia Zhang
;
Meric Inanc
;
Shepard Kenneth
;
Kymissis Ioannis
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
30.
A toggle MRAM bit modeled in Verilog-A
机译:
在Verilog-A中建模的切换MRAM位
作者:
Engelbrecht Linda
;
Jander Albrecht
;
Dhagat Pallavi
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
31.
Silicon nanowire nonvolatile-memory with varying HfO
2
charge trapping layer thickness
机译:
HfO
2 inf>电荷俘获层厚度变化的硅纳米线非易失性存储器
作者:
Zhu X.
;
Li Qiliang
;
Ioannou D. E.
;
Gu D.
;
Baumgart H.
;
Bonevich J. E.
;
Suehle J. S.
;
Richter C. A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
32.
Resistive switching mechanisms of High-κ Gd
2
O
3
films in a Cu (IrO
x
)/Gd
2
O
3
/W structure
机译:
Cu(IrO
x inf>)/ Gd
2 inf>中的高κGd
2 inf> O
3 inf>膜的电阻转换机制O
3 inf> / W结构
作者:
Das Atanu
;
Maikap S.
;
Chang L.B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
33.
Spray deposited poly-3-hexylthiophene thin film transistors
机译:
喷涂沉积的聚-3-己基噻吩薄膜晶体管
作者:
Chan Calvin K.
;
Richter Lee J.
;
Germack David S.
;
Conrad Brad R.
;
Fischer Daniel A.
;
DeLongchamp Dean M.
;
Gundlach David J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
34.
Ultra-low power series pass element voltage regulator for RF-DC energy harvesting
机译:
用于RF-DC能量收集的超低功率串联调整元件稳压器
作者:
Park Myunghwan
;
Choi Kwangsik
;
Peckerar Martin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
35.
A high efficient, low power, and compact charge pump by vertical MOSFET's
机译:
垂直MOSFET的高效,低功耗和紧凑型电荷泵
作者:
Sakui Koji
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
36.
Theoretical predictions for carbon nanotube alignment by meniscus action
机译:
弯液面作用对碳纳米管排列的理论预测
作者:
Wood J.D.
;
Nazareth V.
;
Lyding J.W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
37.
Effect of dopant profile on current-voltage characteristics of p+n+ In
0.53
Ga
0.47
As tunnel junctions
机译:
掺杂剂分布对p + n + In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As隧道结电流-电压特性的影响
作者:
Kabeer Sajid
;
Vasen Tim
;
Wheeler Dane
;
Zhang Qin
;
Koswatta Siyu
;
Zhu Haijun
;
Clark Kevin
;
Kuo Jenn-Ming
;
Kao Yung-Chung
;
Corcoran Sean
;
Doyle Brian
;
Fay Patrick
;
Kosel Tom
;
Xing Huili
;
Seabaugh Alan
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
38.
High temperature characteristics of ZnO-based MOS-FETs with photochemical vapor deposition SiO
2
gate oxide
机译:
光化学气相沉积SiO
2 inf>栅氧化物的ZnO基MOS-FET的高温特性
作者:
Young S. J.
;
Chang S. J.
;
Ji L. W.
;
Hung H.
;
Wang S. M.
;
Liu K. W.
;
Chen K. J.
;
Hu Z. S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
39.
Gate bias characterization of CNT-TFT DNA sensors
机译:
CNT-TFT DNA传感器的栅极偏置特性
作者:
Aktas O.
;
Toral T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
40.
Modeling the threshold voltage of ultra-thin-body(UTB) long channel symmetric double-gate (DG) MOSFETs
机译:
模拟超薄(UTB)长沟道对称双栅(DG)MOSFET的阈值电压
作者:
Medury Aditya Sankar
;
Majumdar Kausik
;
Bhat Navakanta
;
Bhat K. N.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
41.
Reliable resistive switching device based on bi-layers of ZrO
x
/HfO
x
films
机译:
基于ZrO
x inf> / HfO
x inf>薄膜双层的可靠电阻开关器件
作者:
Lee J.
;
Lee W.
;
Jo M.
;
Park J.
;
Seong D.-J.
;
Jung S.
;
Kim S.
;
Shin J.
;
Park S.
;
Hwang H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
42.
NO
2
sensitivity of wide area SiC and epitaxial graphene on SiC substrates
机译:
SiC衬底上大面积SiC和外延石墨烯对NO
2 inf>的敏感性
作者:
Qazi Muhammad
;
Nomani Md. W.
;
Chandrashekhar MVS
;
Koley Goutam
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
43.
Sensitivity analysis of magnetic field sensors utilizing spin-dependent recombination in silicon diodes
机译:
利用硅二极管中自旋相关复合的磁场传感器灵敏度分析
作者:
Jander Albrecht
;
Dhagat Pallavi
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
44.
Ceramide channel formed in open well thermal plastic chips
机译:
在开放式热敏塑料碎片中形成的神经酰胺通道
作者:
Shao Chenren
;
Colombini Marco
;
DeVoe Don L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
45.
A low power 20GHz RF CMOS based phase-locked loop
机译:
基于低功耗20GHz RF CMOS的锁相环
作者:
Zhai Yiming
;
Li Bo
;
Yang Bo
;
Goldsman Neil
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
46.
Solution-processed flexible memristors
机译:
溶液处理的柔性忆阻器
作者:
Gergel-Hackett Nadine
;
Stephey Laurie
;
Dunlap Barbara
;
Hamadani Berhang H.
;
Gundlach Dave J.
;
Richter Curt A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
47.
The effect of plasma treatment on the permeability of PET substrates
机译:
等离子体处理对PET基材渗透性的影响
作者:
Sanaee Z.
;
Mohajerzadeh S.
;
Zand K.
;
Gard F. S.
;
Pajouhi H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
48.
Deep reactive ion etching to realize silicon nano and micro needles and nanostructures
机译:
深度反应离子刻蚀,可实现硅纳米和微针以及纳米结构
作者:
Sanaee Z.
;
Mehran M.
;
Mohajerzadeh S.
;
Araghchini M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
49.
Comprehensive temperature modeling of strained epitaxial silicon-germanium alloy thermistors
机译:
应变外延硅锗合金热敏电阻的综合温度建模
作者:
Malm B. Gunnar
;
Kolahdouz Mohammad-Reza
;
Radamson Henry H.
;
Ostling Mikael
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
50.
Organic field-effect transistor sensors with dual responses to dinitrotoluene
机译:
对二硝基甲苯具有双重响应的有机场效应晶体管传感器
作者:
Dawidczyk Thomas J.
;
Huang Jia
;
Sun Jia
;
Shastry Tejas
;
Mason Andrew
;
Katz Howard E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
51.
Increasing response of semiconductor gas sensor by using preconcentration method
机译:
预浓缩法提高半导体气体传感器的响应
作者:
Wang Jing
;
Liu Li
;
Qi Jin-Qing
;
Yao Peng-Jun
;
Zhang Yu-Jia
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
52.
Electrical characteristics and mechanical limitation of polycrystalline silicon thin film transistor on steel foil under strain
机译:
应变作用下钢箔上多晶硅薄膜晶体管的电学特性和力学极限
作者:
Kuo Po-Chin
;
Jamshidi-Roudbari Abbas
;
Hatalis Miltiadis
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
53.
STI stress effect on standby power leakage of 65nm low power 6T-SRAM
机译:
STI应力对65nm低功耗6T-SRAM待机功耗的影响
作者:
Hu C. Y.
;
Chang S. J.
;
Wang S. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
54.
Effect of GaN buffer thickness on the electrical properties of RF-MBE grown AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrates
机译:
GaN缓冲层厚度对自支撑GaN衬底上RF-MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
作者:
Storm D. F.
;
Katzer D. S.
;
Deen D. A.
;
Bass R.
;
Meyer D. J.
;
Binari S. C.
;
Paskova T.
;
Preble E. A.
;
Evans K. R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
55.
Charge transport in InN nanowires investigated by scanning probe microscopy
机译:
通过扫描探针显微镜研究InN纳米线中的电荷传输
作者:
Liu Jie
;
Cai Zhihua
;
Quddus Ehtesham
;
Koley Goutam
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
56.
A SiGe/Si multiple quantum well avalanche photodetector
机译:
SiGe / Si多量子阱雪崩光电探测器
作者:
Sun P.-H.
;
Wang W.-C.
;
Chang S. T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
57.
Electrical characteristics of EEPROM with stacked MIM and n-well capacitor
机译:
带堆叠MIM和n阱电容器的EEPROM的电气特性
作者:
Kim Nam-Soo
;
Cui Zhi-Yuan
;
Jin Hai-Feng
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
58.
Large area deposition of graphene thin films by Langmuir-Blodgett assembly and their optoelectronic properties
机译:
Langmuir-Blodgett组装的大面积石墨烯薄膜沉积及其光电性能
作者:
Kim HoKwon
;
Mattevi Cecilia
;
Eda Goki
;
Yamaguchi Hisato
;
Kim Hyun Jun
;
Riman Richard E.
;
Chhowalla Manish
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
59.
Role of fin thickness on ballistic transport in nanoscale FinFETs
机译:
鳍片厚度对纳米级FinFET中弹道传输的作用
作者:
Islam Raisul
;
Amin Emran Md.
;
Baten Md. Zunaid
;
Khosru Quazi D. M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
60.
Graphene containing conductive inks for electrical contacts to power semiconductor devices
机译:
含石墨烯的导电油墨,用于电接触功率半导体器件
作者:
Shah P. B.
;
Lettow J.
;
Nyguen C.
;
Derenge M. A.
;
Jones K. A.
;
Batyrev I.
;
Piekarski B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
61.
Thermal effect on optical characteristics of packaged edge emitting laser diode with compressively strained multi-quantum well structure
机译:
压缩应变多量子阱结构对封装边缘发射激光二极管光学特性的热效应
作者:
Han J.-H.
;
Lhee Z.
;
Park S.-W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
62.
Zn
x
Cd
1−x
Se/ Zn
y
Cd
1−y
Se quantum dot floating gate nonvolatile memory
机译:
Zn
x inf> Cd
1-x inf> Se / Zn
y inf> Cd
1-y inf> Se量子点浮栅非易失性存储器
作者:
Al-Amoody F.
;
Suarez E.
;
Rodriguez A.
;
Heller E.
;
Ayers J.
;
Jain F.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
63.
Deeply degenerate p-type GaN grown by metal modulated epitaxy
机译:
金属调制外延生长的深度退化p型GaN
作者:
Doolittle W. Alan
;
Moseley Michael
;
Trybus Elaissa
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
64.
Design of ADCs and DACs using 3-state quantum DOT gate FETs
机译:
使用三态量子DOT栅极FET的ADC和DAC的设计
作者:
Karmakar Supriya
;
Suresh Anjana P.
;
Chandy John A.
;
Jain Faquir C.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
65.
Structures and opto-electrical characteristics of ZITO thin films
机译:
ZITO薄膜的结构和光电特性
作者:
Hung F. Y.
;
Chen K. J.
;
Chang S. J.
;
Young S. J.
;
Hu Z. S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
66.
Traveling-wave microwave switch using III-N gateless devices with capacitively-coupled contacts
机译:
使用具有电容耦合触点的III-N无门器件的行波微波开关
作者:
Wang Jingbo
;
Khan Bilal
;
Sattu Ajay
;
Yang Jinwey
;
Gaska Remis
;
Shur Michael
;
Simin Grigory
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
67.
Thickness-dependence of oxide-nitride-oxide erase property in SONOS flash memory
机译:
SONOS闪存中氧化物-氮化物-氧化物擦除特性的厚度依赖性
作者:
Liq Dong Hua
;
Kinv Wandong
;
Lee Jung Hoon
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
68.
Design and analysis of In
0.53
Ga
0.47
As/InP symmetric gain optoelectronic mixers
机译:
In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As / InP对称增益光电混频器的设计与分析
作者:
Zhang Wang
;
Emanetoglu Nuri W.
;
Bambha Neal
;
Bickford Justin R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
69.
Gate leakage properties on n-MOSFET with plasma oxidized and nitrided
机译:
等离子氧化和氮化的n-MOSFET的栅极泄漏特性
作者:
Kim Hyo-Joong
;
Kim Dong-Hwan
;
Lee Woong
;
Roh Yong Han
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
70.
Physical modeling of SiC devices based on the optical characterization of their internal electrothermal behavior
机译:
基于其内部电热行为的光学特性对SiC器件进行物理建模
作者:
Werber Dorothea
;
Wachutka Gerhard
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
71.
Performance boost for In
0.53
Ga
0.47
As channel N-MOSFET using silicon nitride liner stressor with high tensile stress
机译:
使用高拉伸应力的氮化硅衬里应力源提高In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As沟道N-MOSFET的性能
作者:
Chin Hock-Chun
;
Gong Xiao
;
Guo Huaxin
;
Zhou Qian
;
Koh Shao-Ming
;
Lee Hock Koon
;
Shi Luping
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
72.
Variation analysis of TiN FinFETs
机译:
TiN FinFET的变化分析
作者:
Endo K.
;
Matsukawa T.
;
Ishikawa Y.
;
Liu Y. X.
;
Ouchi S.
;
Sakamoto K.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Masahara M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
73.
Time- resolved photoluminescence studies of Al
0.72
Ga
0.28
N films with incommensurate chemical ordering
机译:
Al
0.72 inf> Ga
0.28 inf> N薄膜的时间分辨光致发光研究,其化学排序不适当
作者:
Wraback M.
;
Garrett G. A.
;
Shen H.
;
Bhattacharyya A.
;
Moustakas T. D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
74.
First order, quasi-static MOSFET bulk charge model showing inconsistencies in the BSIM power dissipation model
机译:
一阶准静态MOSFET大容量充电模型显示BSIM功耗模型中的不一致
作者:
Sharma Sameer
;
Johnson Louis G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
75.
A highly integrated high-voltage bi-directional switch
机译:
高度集成的高压双向开关
作者:
Solomon Adane
;
Castellazzi Alberto
;
Hoyland Ruth
;
Agyakwa Pearl
;
Li Jianfeng
;
Johnson C Mark
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
76.
Differential capacitive accelerometer fabricated with PolyMUMP's technology: Design and characterization
机译:
采用PolyMUMP技术制造的差分电容加速度计:设计与特性
作者:
Rincon R. I.
;
Ambrosio R.
;
Mireles J.
;
Jimenez A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
77.
Electrodeposited Ni/Ge contacts for limiting leakage currents in Schottky barrier MOSFETs
机译:
电沉积的Ni / Ge触点可限制肖特基势垒MOSFET中的泄漏电流
作者:
Husain M. K.
;
Li X. V.
;
de Groot C. H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
78.
High-field initiated ballistic transport in carbon nanotubes
机译:
碳纳米管中的高场引发弹道运输
作者:
Tan Michael L. P.
;
Vidhi Rachana
;
Saxena Tanuj
;
Chek Desmond C. Y.
;
Arora Vijay K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
79.
Structural and electrical properties of InN nanowires grown by chemical vapor deposition
机译:
通过化学气相沉积生长的InN纳米线的结构和电性能
作者:
Quddus Ehtesham Bin
;
Cai Zhihua
;
Koley Goutam
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
80.
Understanding limits to conductivity of metal nanowires
机译:
了解金属纳米线的电导率限制
作者:
Dunham Scott T.
;
Feldman Baruch
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
81.
Electronics for the post-silicon CMOS era…challenges and opportunities
机译:
后硅CMOS时代的电子产品……挑战与机遇
作者:
Ghosh Avik
;
Brown Charles L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
82.
Normally-off operation of recess-gated GaN MOSFET on silicon substrate using AlGaN/GaN source/drain with high 2DEG density
机译:
使用高2DEG密度的AlGaN / GaN源极/漏极在硅衬底上的凹栅GaN MOSFET的常关操作
作者:
Im Ki-Sik
;
Ha Jong-Bong
;
Lee Jong-Sub
;
Kim Sung-Nam
;
Kim Ki-Won
;
Kim Dong-Seok
;
Kang Hee-Sung
;
Kwak Eun-Hwan
;
Lee Sung-Gil
;
Lee Jung-Hee
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
83.
Facile pyrolytic synthesis of silicon nanowires
机译:
硅纳米线的轻松热解合成
作者:
Pattison James W.
;
Chan Joo C.
;
Tran Hoang
;
Rananavare Shankar B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
84.
Surrounding gate MOSFETs S/D design for 28 nm technology
机译:
面向28 nm技术的环绕栅MOSFET S / D设计
作者:
Lim Towoo
;
Jang Junyong
;
Kim Youngmin
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
85.
An insight into the high temperature performance of SiC bipolar junction transistor
机译:
SiC双极结型晶体管高温性能的见解
作者:
Bhatti Arshad Saleem
;
Sajjad Sumair
;
Bhopal Fahad
;
Zafar Nasim
;
Nawaz Muhammad
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
86.
Ultrafast nonlinear optical effects in semiconductor quantum wells resonantly driven by few-cycle Terahertz pulses
机译:
短周期太赫兹脉冲共振驱动的半导体量子阱中的超快非线性光学效应
作者:
Lee Yun-Shik
;
Jameson A. D.
;
Tomaino J. L.
;
Prineas J. P.
;
Steiner J. T.
;
Kira M.
;
Koch S. W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
87.
Floating-body-effect-related gate tunneling leakage current phenomenon of 40nm PD SOI NMOS device
机译:
40nm PD SOI NMOS器件的与浮体效应相关的栅隧穿漏电流现象
作者:
Hung H. J.
;
Kuo J. B.
;
Tsai C. T.
;
Chen D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
88.
Point and extended defects in the bulk and at the interface of GaN with metals
机译:
GaN与金属的界面中以及界面中的点缺陷和扩展缺陷
作者:
Batyrev Iskander G
;
Jones Kenneth A
;
Shah Pankaj B.
;
Zheleva Tsvetanka S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
89.
Modeling, simulation and verification of void transfer process for patterning nm scale features
机译:
为纳米尺度特征构图的空隙转移过程的建模,仿真和验证
作者:
Josan Guriqbal Singh
;
Kurinec Santosh K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
90.
Assessment of surge current capabilities of SiC-based high-power diodes through physics-based mixed-mode electro-thermal simulations
机译:
通过基于物理的混合模式电热模拟评估SiC大功率二极管的浪涌电流能力
作者:
Cappelluti Federica
;
Bonani Fabrizio
;
Ghione Giovanni
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
91.
Backscattering coefficient in MOSFETs from an extended one-flux theory
机译:
基于扩展单通量理论的MOSFET背向散射系数
作者:
Tang Ting-wei
;
Fischetti Massimo V.
;
Jin Seonghoon
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
92.
Silicon carbide materials for advanced power electronic devices
机译:
先进电力电子设备的碳化硅材料
作者:
Albert A Burk
;
OLoughlin Michael J.
;
Garrett Lara S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
93.
Charge trapping and current conduction mechanisms of advanced metal-oxide-semiconductor capacitors with La
x
Ta
y
dual-doped HfON dielectrics
机译:
具有La
x inf> Ta
y inf>双掺杂HfON电介质的高级金属氧化物半导体电容器的电荷俘获和电流传导机理
作者:
Cheng Chin-Lung
;
Horng Jeng-Haur
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Jeng Jin-Tsong
;
Tsai Hung-Yung
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
94.
High work function metal gate and reliabitity improvement for MOS device by integration of TiN/MoN and HfAlO dielectirc
机译:
TiN / MoN和HfAlO介电材料的集成,高功函数金属栅极和MOS器件的可靠性提高
作者:
Fu Chung-Hao
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Lu Hsueh-Yueh
;
Li Chen-Chien
;
Wang Tien-Ko
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
95.
On-state current stress-induced subthreshold I–V instability in SiC DMOSFETs
机译:
SiC DMOSFET的导通状态电流应力引起的亚阈值IV不稳定性
作者:
Lelis Aivars
;
Green Ron
;
Habersat Dan
;
Goldsman Neil
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
96.
Laser-plasma acceleration of mono-energetic protons: Simulations of an energetic proton source for cancer therapy
机译:
单能质子的激光等离子体加速:用于癌症治疗的高能质子源的模拟
作者:
Liu Tung-Chang
;
Liu Chuan
;
Shao Xi
;
Eliasson Bengt
;
Dudnikova Galina
;
Sagdeev Roald
;
Sharma Surja
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
97.
A new SiGe Stepped Gate (SSG) thin film SOI LDMOS for enhanced breakdown voltage and reduced delay
机译:
新型SiGe阶梯栅(SSG)薄膜SOI LDMOS,可提高击穿电压并减少延迟
作者:
Sithanandam Radhakrishnan
;
Kumar M. Jagadesh
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
98.
Correlation between high-density trap states and local stress near SOI/BOX interface in SIMOX wafers
机译:
SIMOX晶片中高密度陷阱状态与SOI / BOX界面附近的局部应力之间的相关性
作者:
Nakajima Yoshikata
;
Watanabe Yukitoshi
;
Hanajiri Tatsuro
;
Toyabe Toru
;
Sugano Takuo
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
99.
Electrophoretic mobility and resultant zeta potential of an individual cell analyzed by electrophoretic coulter method
机译:
电泳库尔特法分析单个细胞的电泳迁移率和所得zeta电位
作者:
Takahashi N.
;
Aki A.
;
Ukai T.
;
Nakajima Y.
;
Maekawa T.
;
Hanajiri T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
100.
Zero-bias Si backward diodes detectors incorporating P and B δ-doping layers grown by chemical vapor deposition
机译:
零偏Si后向二极管检测器,包含通过化学气相沉积法生长的P和Bδ掺杂层
作者:
Park Si-Young
;
Anisha R.
;
Jiang Sheng
;
Berger Paul R.
;
Loo Roger
;
Nguyen Ngoc Duy
;
Takeuchi Shotaro
;
Goossens Jozefien
;
Caymax Matty
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09》
|
2009年
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