Semiconductor Electronics Division, National Institute of Standards and Technology, USA;
机译:低温退火对超声喷雾热解沉积氧化锌薄膜薄膜晶体管电性能的影响:退火时间的影响
机译:聚-3-己基噻吩薄膜晶体管的气敏特性
机译:基于聚-3-己基噻吩薄膜晶体管的气体传感器
机译:喷雾沉积的聚-3-己基噻吩薄膜晶体管
机译:使用叔丁醇ha(IV)通过CVD和PECVD沉积的固态晶体管栅极应用的based基高k薄膜的特性表征。
机译:紫外/臭氧后处理对低温氧化薄膜晶体管的超声喷涂氧化锆介电膜的影响
机译:用于柔性薄膜晶体管和集成电路的低温喷涂沉积氧化铟