Sensor Electronic Technology Inc., Columbia, SC, USA;
机译:Si上的增强型金属绝缘体半导体GaN / AlInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+3.0 V,阻断电压为1000 V以上
机译:蓝宝石衬底上的大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:高电子迁移率晶格匹配的AlInN / GaN场效应晶体管异质结构
机译:Alinn / GaN异质结构场效应晶体管
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
机译:基于AlInN / GaN异质结构晶体管的高灵敏度pH传感器
机译:si上的增强型金属 - 绝缘体 - 半导体GaN / alInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+ 3.0V,阻断电压高于1000V
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管