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周春宇; 刘超; 宋建军;
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院;
西安电子科技大学微电子学院;
应变Si1-xGex; 价带; 空穴有效质量;
机译:(110)和(111)Si衬底上的应变Si_(1-x)Ge_x合金中的p型金属氧化物半导体反型层的空穴有效质量
机译:(001),(101),(111)双轴应变Si和Si_(1-x)Ge_x材料中空穴的散射机理
机译:(001)张弛Si_(1-y)Ge_y上的应变Si /应变Si_(1-x)Ge_x双通道pMOSFET的沟道电荷的TCAD准备密度梯度计算
机译:紧张Si_(1-x)Ge_x /(001)si中的各向异性空穴迁移率
机译:应变对拟晶硅(1-x)锗(x)的影响:价带结构和空穴传输的物理模型。
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:应变si1-xGex /(001)si中的各向异性空穴迁移率
机译:应变层超晶格中二维传输的电子和空穴有效质量
机译:用于有效阻挡发光器件中电子和空穴的应变AlGaInP层
机译:应变AlGaInP层用于发光器件中的有效电子和空穴阻挡
机译:应变AlGaInP层可有效阻挡发光器件中的电子和空穴
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