一种可有效提高p‑GaN空穴注入层质量的外延生产方法

摘要

本发明揭示了一种可有效提高p‑GaN空穴注入层质量的外延生产方法，在衬底上依次生长低温GaN 缓冲层、非故意掺杂的GaN 层、n型电子注入层、多量子阱有源区、p‑GaN空穴注入层和p型重掺杂的接触层。p‑GaN空穴注入层是采用在交替式切换N2/H2载气的环境中进行生长，即在N2环境中进行Mg原子的掺杂，在H2氛围中降低Mg原子的激活能。采用这种载气交替式切换的环境中生长p‑GaN层，可以有效的提高Mg原子并入GaN晶格中的效率，改善晶格质量，降低工作电压和提高抗静电能力；同时通过降低Mg的激活能，提高Mg原子的活化效率，提供更多的空穴载流子，提高LED器件的发光亮度。