退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张东国; 李忠辉; 孙永强; 董逊; 李亮; 彭大青; 倪金玉; 章咏梅;
南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016;
金属有机物化学气相淀积; 氮化镓; 缓冲层; 结晶;
机译:使用低温缓冲层通过氢化物气相外延获得的GaN外延层的结构质量的研究
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:改善低温生长的ZnO缓冲层上ZnO外延层的晶体质量
机译:通过定期插入低温GaN缓冲层来改善GaAs(111)A上厚GaN层的晶体质量
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:HRXRD研究纳米多孔硅层对SiC / POR-Si / C-Si模板对GaN层外延生长质量的影响
机译:利用Ga金属缓冲层改善异质外延mBE GaN生长
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:外延生长的可修补基质材料,可改善外延层结构的晶体质量,以及用于修补基质的方法
机译:晶体和外延层的机械化学抛光-gan和ga1 x yalxinyn层
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。