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王江涛;
合肥工业大学;
机译:通过制备新型的图案化蓝宝石衬底来提高GaN外延层的质量
机译:外延层晶体质量对蓝宝石衬底上AlGaN / GaN短栅高电子迁移率晶体管的DC和RF特性的影响
机译:生长过程中原位热处理对MOVPE在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层晶体质量的影响
机译:通过分子束外延提高以量子点为缓冲层在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的晶体质量
机译:GaN外延层中的电子传输。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:在c轴和a轴蓝宝石衬底上的GaN外延层的纳米划分表征
机译:在蓝宝石衬底上生长的高质量氮化铝外延层
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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