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Strained AlGaInP layer for efficient electron and hole blocks in light emitting devices

机译:应变AlGaInP层用于发光器件中的有效电子和空穴阻挡

摘要

The light emitting device is disclosed. The light emitting device has an electron block layer, a hole block layer arranged so as to have at least a part of compression strain, and an active layer arranged between the hole block layer and the electron block layer. ..
机译:公开了发光器件。发光器件具有电子阻挡层,被布置为具有至少一部分压缩应变的空穴阻挡层,以及被布置在空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。 ..

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