University of Florida;
机译:量子限制对硅和锗双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管中空穴迁移率的影响
机译:超薄绝缘体上硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管中双栅模式提高空穴迁移率
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:温度对散射机制的作用限制了在(110)硅取向晶片上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:应变对硅价带的影响:p型硅的压阻和应变硅pMOSFET的迁移率提高。
机译:硅金属氧化物半导体量子点中前六个孔的自旋和轨道结构
机译:具有有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:p型硅中电阻率和空穴电导率的温度依赖性。