绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析

杨洲; 王茺; 于杰; 胡伟达; 杨宇

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绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析

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对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象.

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来源
《红外与毫米波学报》|2015年第2期|172-176|共5页
作者
杨洲; 王茺; 于杰; 胡伟达; 杨宇;
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作者单位

云南大学光电信息材料研究所,云南昆明650091;

中国移动通信集团设计院有限公司重庆分公司,重庆401147;

云南大学光电信息材料研究所,云南昆明650091;

云南大学光电信息材料研究所,云南昆明650091;

南京大学电子科学与工程学院固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;

云南大学光电信息材料研究所,云南昆明650091;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类理论;
关键词
应变Si1-xGex沟道; p-MOSFET; 阈值电压; 扭结;

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