双轴压缩应变下的硅中的电子和空穴迁移率的增强

摘要

本发明提供了一种具有增强的电子和空穴迁移率的半导体材料，该材料包括在双轴压缩应变下的具有晶体取向的含硅层。术语"双轴压缩应变"在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明的其它方面涉及形成本发明的半导体材料的方法。本发明的方法包括提供含硅层；和在所述含硅层中产生双轴应变。