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目录
第一章 绪论
1.1 课题研究的背景和意义
1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的2DEG迁移率的研究进展
1.3 目前的问题
1.4 本论文的研究内容及安排
第二章 AlGaN/GaN HEMT的物理特性和基本原理
2.1 AlGaN/GaN HEMT的极化效应
2.2 AlGaN/GaN HEMT 中的2DEG
2.3 AlGaN/GaN异质结构中2DEG散射机制
2.4 本章小结
第三章 双轴应变下GaN相关物理参数的模拟计算
3.1 参数计算的目的和意义
3.2 密度泛函理论
3.3 计算的过程和方法
3.4 计算结果与分析
3.5 本章小结
第四章 双轴应变对AlGaN/GaN 2DEG散射机制的影响
4.1 应变对声子散射的影响
4.2 应变对其它散射机制的影响
4.3 本章小结
第五章 双轴应变下AlGaN/GaN HEMT 2DEG迁移率的计算
5.1 双轴应变对室温下2DEG迁移率的影响
5.2 双轴应变对低温(77K)2DEG迁移率的影响
5.3 双轴应变对不同浓度下2DEG迁移率的影响
5.4 PZT/AlGaN/GaN结构—电场实时调制迁移率的探索
5.5 本章小结
第六章 结论
致谢
参考文献
攻硕期间的研究成果