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公开/公告号CN106783962A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201710021098.2
发明设计人 段宝兴;郭海君;谢慎隆;袁嵩;杨银堂;
申请日2017-01-11
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/778(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 02:20:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20170111
实质审查的生效
2017-05-31
公开
机译: GaN / AlGaN / GaN无分散高电子迁移率晶体管
机译: GaN / AlGaN / GaN无色散高电子迁移率晶体管
机译:使用AlGaN再生技术制造的具有高漏极电流的增强型AlGaN / GaN垂直沟槽金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:增强型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中AlGaN氧化界面的质量
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:低能电子照射对增强型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:新型高性能AlGaN / GaN基增强型金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。