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非故意掺杂GaN缓冲层中缺陷能级对p-GaN栅结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能影响

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本文通过改变p-GaN栅结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件中AlGaN势垒层厚度和Al组分,对阈值电压和最大饱和电流进行了模拟计算,得到了优化的p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件.基于优化的结构,采用Silvaco TCAD软件模拟和分析了非故意掺杂GaN缓冲层中不同的缺陷能级对器件的关态漏电流和最大饱和电流的影响规律.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||373-374|共2页
会议地点西宁
作者
葛梅; 胡利群; 陈敦军; 陆海; 张荣; 郑有炓;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 栅结构; 缓冲层; 缺陷能级; 阈值电压; 电流特性;
入库时间 2022-08-17 11:16:08

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