The Ohio State University;
机译:中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:纳米尺度AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上缺陷形成的应变和温度依赖性
机译:在AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管特性的影响
机译:质子前和后质子辐照的AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管和AlGaN肖特基二极管的陷阱和缺陷
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:硅(111)基质上的Algan / gan和Inaln / GAN二极管和高迁移率晶体管的CMOS相容氧化钌肖特基接触的研究