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康玄武; 郑英奎; 王鑫华; 黄森; 魏珂; 吴昊; 孙跃; 赵志波; 刘新宇;
中国科学院微电子研究所,北京 100029;
氮化镓(GaN); AlGaN/GaN异质结; 肖特基二极管(SBD);
机译:GaN带间激励引起的金属-AlGaN / GaN异质结肖特基二极管的光电流特性
机译:AlN / GaN与AlGaN / GaN异质结肖特基二极管的电特性比较
机译:低温下Pd / AlGaN / GaN异质结肖特基二极管中丙酮感测的热力学分析
机译:在SiC上生长的GaN同质结和AlGaN / GaN异质结可见盲光电二极管
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:在GaN和AlGaN / GaN异质结构上形成的Pt肖特基二极管气体传感器
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义
机译:门控AlGaN / GaN异质结肖特基器件
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
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