金属-半导体二极管属于《中国图书分类法》中的六级类目，该分类相关的期刊文献有8篇等，金属-半导体二极管的主要作者有傅兴华、储开慧、刘新宇，金属-半导体二极管的主要机构有贵州大学电子科学系、中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院微电子研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要： 氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用...
2.[期刊]
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
摘要： 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%.对薄膜进行高温磷扩散掺...
3.[期刊]
摘要： The contradiction between higher reverse breakdown voltage and lower conduction...
4.[期刊]
摘要： 借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD).其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集...
5.[期刊]
摘要： 金属与半导体接触,形成了肖特基二极管.肖特基二极管具有多子导电的特点,其频率特性好,能在大电流下工作,有较大的反向饱和电流和较低的正向导通电压.选取硅材料,外...
6.[期刊]
摘要： 研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容...
7.[期刊]
摘要： 采用分段提参的方法，针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应，也考虑了势垒不均...
8.[期刊]
摘要： 为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD).利用Silvaco Tca...
