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【2h】

Demonstration of p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors With an Indium–Tin–Oxide Gate Electrode

机译：具有铟 - 氧化铟锡栅电极的P-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的示范

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Chih-Yao Chang; Chien-Sheng Wang; Ching-Yao Wang; Yao-Luen Shen; Tian-Li Wu; Wei-Hung Kuo; Suh-Fang Lin; Chih-Fang Huang;
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年度 2021
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