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【2h】

Novel high performance AlGaN/GaN based enhancement-mode metal-oxide semiconductor high electron mobility transistor

机译：新型高性能AlGaN / GaN基增强型金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

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作者
Raphael Brown; Abdullah Al-Khalidi; Douglas Macfarlane; Sanna Taking; Gary Ternent; Iain Thayne; Edward Wasige;
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作者单位

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年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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