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马建立; 付志粉; 李洋; 唐旭东; 张鹤鸣;
安徽理工大学力学与光电物理学院;
西安电子科技大学微电子学院;
单轴应力硅; 导带结构; 散射; 电子迁移率;
机译:具有横向单轴拉伸应力轮廓的硅纳米线,用于高电子迁移率全栅MOSFET
机译:高Ge含量应变SiGe(110)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的单轴应力效应和空穴迁移率
机译:高单轴应力对短沟道pFET的Si(100)和(110)衬底的迁移率和速度增强效应
机译:通过单轴应力对(001)和(110)定向MOSFET进行单轴应力的电子反演层移动性提高
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:具有侧向单轴拉伸应力分布的硅纳米线,用于高电子移动栅极 - 全绕MOSFET
机译:高单轴应力下p型锗的少数载流子迁移率
机译:<110>处于两个轴向压缩变形和正空穴迁移率增加的状态的硅电子(硅含量半导体材料和形成方法)
机译:轴向压缩应力下<110> SI中电子和空穴迁移率的增强
机译:双轴压缩应变下<110> Si中电子和空穴迁移率的增强
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