场效应型属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有3447篇,会议文献有152篇,学位文献有644篇等,场效应型的主要作者有来新泉、王志功、孙伟锋,场效应型的主要机构有中国科学院微电子研究所、复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室、清华大学微电子学研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能较差的问题,采用跨导提高技术设计了一种高摆率的误差放大器。在误差放大器的基础上,通过电容将LDO的输...
2.[期刊]
摘要: 在应用了电磁式振动能量收集技术的无线传感器网络节点中,针对半导体芯片在微能量供电的情况下会锁定在一个较低的亚阈值电压使其无法正常工作的问题,文中设计了具有迟滞...
3.[期刊]
摘要: 集成电路的核心器件尺寸越来越小,传统工艺逐渐不能满足要求。文章基于Global Foundries 22 nm FDSOI先进工艺,利用自偏置折叠共源共栅运算...
4.[期刊]
摘要: 片上系统芯片对电源管理电路的要求日益提高,通过深入研究,采用Global Foundries 22 nm FDSOI先进工艺设计一款低压差线性稳压器,仿真结果...
5.[期刊]
摘要: 为了使非侵入性电极在研究大脑神经活动中可避免愈伤组织与免疫反应的目的,在GSMC130 nm工艺上设计并制备了一款可对神经细胞进行电刺激的高密度微电极阵列芯片...
6.[期刊]
面向片上互连的低功耗CNRZ-5 125Gb/s高速SerDes发射机
摘要: 为解决高性能CPU、GPU、AI等高端芯片的片上互联(D2D)带宽低、引脚效率不高的问题,设计了一款面向超短距离传输(USR)的低功耗、高引脚效率的125Gb...
7.[期刊]
摘要: 模拟开关作为对模拟信号进行指定路径传输和控制的单片集成电路,其在整机集成系统的信号采集、过程控制等功能实现中起着不可或缺的作用。传统模拟开关在产品的设计及应用...
8.[期刊]
摘要: 针对斩波调制导致的输出纹波和带宽受限的问题,采用复合路径结构,将运放分为高频低增益的主路径和低频高增益的辅助路径,主路径决定带宽,辅助路径决定失调,斩波调制位...
9.[期刊]
摘要: 电源电压随CMOS工艺节点微缩而降低,使模拟电路设计面临严峻挑战。CMOS反相器因其结构简单,在给定电流下可获得相对高的线性跨导,适合于作为低压高能效模拟电路...
10.[期刊]
摘要: 国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验...
11.[期刊]
摘要: 在舰船通信信号传输质量检测中,由于信号分布的密集性与杂乱性,采集的信号质量较差,影响信号传输质量检测的准确性,因此设计一种基于物联网的舰船通信信号传输质量检测...
12.[期刊]
摘要: 设计了一款用于硅像素探测器读出系统的13 bit、20 MS/s流水线ADC芯片。该芯片的核心模块主要包括乘法数模单元(MDAC)、全差分跨导运算放大器(OT...
13.[期刊]
摘要: 为了满足便携式电子设备的需求,设计了一种低漏失高稳定的LDO。利用正反馈环路钳位电压,获得高精度采样电流。通过调整工作在深线性区的MOS管的等效电阻,产生跟踪...
14.[期刊]
摘要: 针对高稳定性MCU的应用需求,设计了一种低温度灵敏度的RC振荡器。采用平均电压反馈电路降低比较器延迟对振荡器输出频率的影响,采用温度补偿技术补偿温度对振荡器输...
15.[期刊]
摘要: 基于130 nm RF CMOS工艺,提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器。当收发机工作于接收模式时,双向混频器执行下变频功能,将低噪放大器放...
16.[期刊]
摘要: 为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数...
17.[期刊]
摘要: 该文面向基于闪存(Flash)的脉冲卷积神经网络(SCNN)提出一种积分发放(IF)型模拟神经元电路,该电路实现了位线电压箝位、电流读出减法和积分发放功能。为...
18.[期刊]
摘要: 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解...
19.[期刊]
摘要: 氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功...
20.[期刊]
摘要: 霍尔传感器由于自身的高失调电压和低磁场灵敏度限制了应用,基于SMIC 180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种阈值可调三维霍尔开关型传感器...
1.[会议]
摘要: 高速高精度模数转换器(ADC)是混合信号集成电路设计的研究热点,一般采用流水线型(Pipelined)结构实现.高性能自举开关是高速高精度ADC的关键,本文基...
2.[会议]
摘要: 利用工作于亚阈值的NMOS器件,产生一个正温度系数的电压;利用动态阈值调整管的栅源电压作为负温电压;将两个电压源相加,产出稳定的基准电压输出.整体电路采用HH...
3.[会议]
摘要: 本文提出了一种针对GaN HEMT高频开关应用的驱动电路架构,并采用GaAs HBT集成电路工艺,成功研制了基于该电路架构的射频开关功放(SMPA)专用驱动芯...
4.[会议]
标准CMOS工艺下59.2ppm/℃,16MHz片上振荡电路设计
摘要: 基于标准CMOS0.18m工艺,该文设计了一款16MHz高稳定度片上振荡电路,用于产生芯片系统的基准时钟.设计中利用了PN结正向导通时的负温度系数对振荡电路延...
5.[会议]
摘要: 通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical U...
6.[会议]
摘要: 本文从双电源电压三态输出电路原理结构图出发,列出了引起VOL、VOH、IOZH、IOZL失效的可能原因,通过估算指出引起高阻高电平漏电失效而其它功能参数都正常...
7.[会议]
摘要: 功率变换拓扑的抗辐照特性研究是航天电源空间环境适应性研究的重要方面,是影响航天电源高可靠、长寿命运行的重要因素.本文首先介绍了空间辐射环境对功率MOS的影响机...
8.[会议]
摘要: 本文描述了一种片内集成的温度电压监测模块的设计,该设计使用数字CMOS兼容工艺,模块内部包含了电源子模块、温度传感器和电压传感器等多个子模块,两种传感器采用逐...
9.[会议]
摘要: 随着大功率直流无刷电机需求的增加,对安全稳定工作的大功率直流无刷驱动器的研究也迫在眉睫.针对这一问题本文设计了一个基于DSP的控制驱动器.首先根据三相直流无刷...
10.[会议]
摘要: 随着半导体工艺的进步,供电网络上的噪声对芯片的影响愈加严重,使得芯片产生延迟变化、出现时序违例甚至功能失效.添加去耦电容(decap,decoupling c...
11.[会议]
摘要: 文中介绍了一种CMOS模拟开关电路的失效分析方法,以案例叙述的方式讲解了CMOS模拟开关电路整个失效分析过程.通过对失效电路的测试分析,加以辅助试验查找出失效...
12.[会议]
摘要: 基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺,制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验,结果表明温度越高,热...
13.[会议]
摘要: 基于自主开发的SOI高低压兼容工艺,研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性,分析了器件发生击穿和骤回的物理机制.结合理论分析和流片后的TLP测试结果,发...
14.[会议]
摘要: 随着不断缩小的工艺尺寸,以NBTI为主导的老化因素对VLSI器件寿命的影响尤为突出。针对老化引起的时序违规,提出一种抗老化的结构设计:TFM-CBILBO。在...
15.[会议]
摘要: 介绍了一种新型CMOS栅极自举开关电路。该电路适用于14位250MHz采样频率的A/D转换器。在传统栅极自举开关上增加一个单元,可以有效地克服采样电路导通时寄...
16.[会议]
摘要: 本文通过国内外CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺技术的发展现状对比,研究了利用CMOS电路进行太赫兹源与太赫兹探测的硬件设备制作方案.基于CMOS技术实现的...
17.[会议]
摘要: 在分析传统电荷泵原理基础上,结合电荷泵在EEPROM中的应用,提出了一种改进的CMOS电荷泵结构,该结构采用了较大的泵电容、非交叠时钟电路,并增加了电荷泵启动...
18.[会议]
摘要: 对多种MOS器件在钴源和脉冲加速器γ射线模拟源上的不同剂量率下进行辐照实验,研究了MOS器件阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系.试验结果表明,在相同辐射剂量...
19.[会议]
摘要: ESD问题随着工艺尺寸不断减小而变得日益突出,本篇文章主要实现了基于片上系统的二极管和栅接地NMOS管两种ESD防护电路,通过对两种ESD防护电路的分析与比较...
20.[会议]
摘要: 高功率微波能够干扰甚至毁伤内部电子元器件从而使电子系统呈现性能降低与功能失效.本文在器件物理模拟与电路仿真的混合模拟方法的基础上,利用TCAD仿真器建立了ES...
1.[学位]
摘要:
锁相环为无线收发机提供本振信号,其决定着无线收发机的功耗和误码率。因此,低杂散、低噪声锁相环设计在无线收发系统中显得尤为重要。
通信频带资源越来越紧...
2.[学位]
摘要: 带隙基准源作为一种基本电路模块,它可以产生与环境温度、电源电压、工艺参数关系很小的基准电压或基准电流。随着集成电路工艺的特征尺寸越来越接近硅的最小理论极限,芯...
3.[学位]
摘要: InAs/AlSb HEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的器件之一。本文对...
4.[学位]
摘要: 射频LDMOS器件作为功率集成电路中的核心器件,近年来已经成为国内外众多器件研究者的研究热点,由于横向高压功率器件中击穿电压与比导通电阻之间的严重矛盾关系一直...
5.[学位]
摘要: 随着集成电路工艺的发展,传统平面CMOS器件随着尺寸的缩小,短沟道效应、源漏电荷共享和亚阈值特性衰退等等对器件的电学特性影响越来越严重。当器件尺寸缩减到20n...
6.[学位]
Y2O3/SiO2/4H-SiC堆栈栅介质MOS电容特性研究
摘要: 碳化硅(SiC)金属-氧化物-场效应晶体管(MOSFET)是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本文通过使用高介电常...
7.[学位]
摘要: 由于硅材料的禁带宽度较窄,导致其在阻断电压、能耗、工作温度和开关频率等方面已难以满足新一代功率系统的要求,成为了电力电子系统发展的瓶颈。而第三代宽禁带半导体材...
8.[学位]
摘要: 在近50年半导体产业的发展历程中,以Si CMOS器件为基础的集成电路产业遵循“摩尔定律”的预言得到了飞速发展。通过MOSFET沟道长度及器件尺寸的不断缩小及...
9.[学位]
面向高效高功率射频放大器的4H-SiC MESFETs器件设计
摘要: 基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件设计已经被研究多年。其中4H-SiC MESFET器件因同时具有的高可靠性(未引入栅极氧化层)与高频结构特性(肖特基接...
10.[学位]
摘要: 随着第三代半导体材料的日渐成熟,以及4H-SiC MESFET的器件制备工艺的完善,4H-SiC MESFET的器件优势日益显著,迅速成为半导体微波功率器件领...
11.[学位]
摘要: 目前的集成电路特征工艺已推进到14nm,器件结构发展为三栅FinFET,考虑到FinFET器件结构与传统平面器件的差异性,SRAM作为电子系统中的重要组成部分...
12.[学位]
摘要: GaN基HEMT器件由于其高击穿电场,高饱和速度等优越性能,在高频高温大功率器件应用方面有着广泛的前景。为了满足电路集成化程度的提高,当器件尺寸缩小至纳米量级...
13.[学位]
摘要: 集成电路特征尺寸一直是衡量电路性能与功耗的重要标志。当特征尺寸到达65nm时,随之带来的可靠性问题越来越引发关注。超薄栅介质层的经时击穿(TDDB)特性可以用...
14.[学位]
摘要: 随着CMOS技术的进步和器件特征尺寸的不断缩小,负偏压温度不稳定性(NBTI)效应已经成为了影响器件可靠性的关键因素之一。NBTI效应导致的PMOS器件退化严...
15.[学位]
摘要: GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)凭借高击穿电压、高电流密度、高热稳定性等优点被学术界和工业界广泛关注,在宽禁带半导体领域始终发挥着重要的作用。自201...
16.[学位]
摘要: 高功率微波(HPM, high power microwave)作为强电磁脉冲可以通过“前门”或者“后门”的耦合方式,注入到电子系统并在电子器件或线路上感应产...
17.[学位]
摘要: 随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤严重威胁电子系统的可靠性。目前,半导...
18.[学位]
摘要: SiC MOSFET凭借其材料独特而优异的结构和性能在大功率、高温高频等应用领域发挥着重要的作用,但由于高陷阱浓度的存在严重限制了迁移率并影响了器件的阈值电压...
19.[学位]
摘要: 横向双扩散功率MOS(Lateral Double-diffusion MOS,简称LDMOS)的电极都集中在器件的表面,相比于VDMOS,更易与集成电路工艺...
20.[学位]
摘要: GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高和热导率高等优势,在微波高功率领域有着极大的应用潜力。目前,以AlGaN/GaN异质结为基础形成的高电子迁移...