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【2h】

Silicon nanowires with lateral uniaxial tensile stress profiles for high electron mobility gate-all-around MOSFETs

机译：具有侧向单轴拉伸应力分布的硅纳米线，用于高电子移动栅极 - 全绕MOSFET

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M. Najmzadeh; L. De Michielis; D. Bouvet; P. Dobrosz; S. Olsen; A.M. Ionescu;
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年度 2010
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1. Silicon nanowires with lateral uniaxial tensile stress profiles for high electron mobility gate-all-around MOSFETs [J] . M. Najmzadeh, L. De Michielis, D. Bouvet, Microelectronic Engineering . 2010,第5a8期

机译：具有横向单轴拉伸应力轮廓的硅纳米线，用于高电子迁移率全栅MOSFET
2. Uniaxial Strain Effects on Electron Ballistic Transport in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs [J] . Zhang L., Lou H., He J., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第11期

机译：单轴应变对全栅硅纳米线MOSFET中电子弹道传输的影响
3. Accumulation-mode gate-all-around si nanowire nMOSFETs with sub-5 nm cross-section and high uniaxial tensile strain [J] . M. Najmzadeh, D. Bouvet, W. Grabinski, Solid-State Electronics . 2012,第期

机译：具有小于5 nm横截面和高单轴拉伸应变的累积模式全栅si纳米线nMOSFET
4. Local stressors to accommodate 1.2 to 5.6 GPa uniaxial tensile stress in suspended gate-all-around Si nanowire nMOSFETs by elastic local buckling [C] . Najmzadeh M., Bouvet D., Grabinski W., 2011 International Semiconductor Device Research Symposium . 2011

机译：局部应力源通过弹性局部屈曲来适应悬浮式全栅Si纳米线nMOSFET中的1.2至5.6 GPa单轴拉伸应力
5. Stretching silicon: A uniaxial and biaxial strain generation process and the resulting mobility enhancement in silicon-on-insulator MOSFETs. [D] . Peterson, Rebecca Lorenz. 2006

机译：拉伸硅：单轴和双轴应变产生过程，以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
6. Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs [O] . Jie Gu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, 2021

机译：P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
7. Uniaxially tensile strained accumulation-mode gate-all-around Si nanowire nMOSFETs [O] . Mohammad Najmzadeh, Didier Bouvet, Wladek Grabinski, 2011

机译：单轴拉伸应累积 - 模式门 - 全部围绕Si纳米线NMOSFET

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