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目录
第一章 绪 论
1.1 研究背景和意义
1.2 应变硅技术发展概况
1.3 本文研究内容及章节安排
第二章 半导体能带分析方法
2.1 半导体能带基本分析方法
2.2 k·p 微扰法
2.3 体硅导带结构 k·p 微扰法研究
2.4 体硅价带结构 k·p 微扰法研究
2.5 本章小结
第三章 单轴应变硅导带结构研究
3.1 单轴应变硅导带 E~k 关系
3.2 单轴应变硅导带结构与应力及晶向关系
3.3 单轴应变硅导带能谷底能级
3.4 单轴应变硅电子有效质量
3.5 本章小结
第四章 单轴应变硅价带结构研究
4.1 单轴应变硅价带 E~k 关系
4.2 单轴应变硅价带结构与应力及晶向关系
4.3 单轴应变硅价带顶能级
4.4 单轴应变硅空穴有效质量
4.5 本章小结
第五章 单轴应变硅载流子迁移率研究
5.1 单轴应变硅载流子散射机制
5.2 单轴应变硅电子/空穴迁移率模型
5.3 单轴应变硅电子迁移率
5.4 单轴应变硅空穴迁移率
5.5 本章小结
第六章 单轴应变锗基本物理参数研究
6.1 单轴应变锗导带底/价带顶能级
6.2 单轴应变锗有效质量
6.3 单轴应变锗有效状态密度及本征载流子浓度
6.4 单轴应变锗空穴迁移率
6.5 本章小结
第七章 结 论
致谢
参考文献
攻博期间研究成果
附录