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房慧; 阮兴祥; 毛春瑜; 梁程; 黄翠萍; 白小花;
广西民族师范学院物理与电子工程学院,广西崇左532200;
北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京100124;
单壁碳纳米管; 压缩; 应变; 电子结构; 第一性原理;
机译:ZnS / CdS(001)超晶格中的应变诱导能带混合效应
机译:理想和有缺陷的单壁碳纳米管在轴向压缩下的应变率效应
机译:弹性应变重新分布对压缩应变GalnAsP / lnP膜量子线电子能带结构的影响
机译:STI和ESL诱导诱导压缩应变效应的研究
机译:在溶液和溶胶-凝胶衍生的高温有机-无机杂化材料中制备的弹性体聚合物网络中,应变诱导结晶。
机译:纤维素/碳纳米管/聚氨酯的杂化纳米复合材料具有快速水敏形状记忆效应和应变传感性能
机译:应变层超晶格界面电荷转移效应和应变效应的能带计算
机译:碳纳米管辐射诱导效应的机制。
机译:制备杂化碳纳米管石墨烯杂化薄膜的方法,杂化纳米管石墨烯薄膜和场效应晶体管
机译:应变的硅互补金属氧化物半导体,包括含硅拉伸N型翅片场效应晶体管和含硅的压缩P型翅片场效应晶体管,使用双松弛基板形成
机译:应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
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