一种利用热应变诱导宽温区电卡效应PLZST基薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种利用热应变诱导宽温区电卡效应PLZST基薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。一种利用热应变诱导宽温区电卡效应PLZST基薄膜的制备方法，包括以下步骤：将LaNiO3前驱体溶液旋涂于衬底上制得第一湿膜，将所得的第一湿膜干燥、热解，退火制得单层LaNiO3薄膜；重复以上步骤制得多层LaNiO3/Si(100)或LaNiO3/Pt(111)复合基底；将PLZST前驱体溶液旋涂于衬底上，制得第二湿膜；对所得的第二湿膜干燥、热解，制得单层PLZST薄膜；重复制得多层PLZST薄膜，其中在制备多层PLZST薄膜之前或之后还包括退火的步骤。本发明制备方法相对简单，可以通过改变衬底的种类和热处理方式来调控薄膜的结构和电卡性能。