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目录
第一章 绪 论
1.1 引言
1.2 MOS 器件应力引入方法及技术分类
1.3 国内外应变 Si 技术发展历程
1.4 应变 Si 技术发展趋势
1.5 本论文研究意义与研究内容
第二章 单轴应变 Si 材料能带结构研究
2.1 单轴应变张量模型
2.2 单轴应变 Si 导带色散关系
2.3 单轴应变 Si 价带结构
2.4 单轴应变 Si 能带关键结构参数
2.5 本章小结
第三章 单轴应变 Si nMOS 阈值电压研究
3.1 单轴应变 Si nMOS 反型层量子化特性
3.2 单轴应变 Si nMOS 阈值电压研究
3.3 阈值电压模型计算结果与讨论
3.4 本章小结
第四章 单轴应变 Si nMOS 电子迁移率研究
4.1 体 Si 材料电子散射几率模型
4.2 应变 Si nMOS 电子迁移率增强机理概述
4.3 应变 Si nMOS 反型层子带色散关系
4.4 反型层电子态密度有效质量与电导率有效质量
4.5 反型层电子散射几率
4.6 反型层电子迁移率计算与讨论
4.7 迁移率与器件参数的关系
4.8 本章小结
第五章 总 结
5.1 论文的主要工作与成果
5.2 对进一步研究工作的考虑
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果
西安电子科技大学;