单轴应变Si NMOS阈值电压模型研究

摘要

应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,笔者从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件阈值电压模型,该模型充分考虑了应力、短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响,分析了其与阈值电压的相关性,并对模型进行了模拟仿真,结果表明,模型与理论分析结果一致.